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記事検索結果
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今後、既存の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスに混載した評価回路を作製し、性能などを検証していく。 スピン注入方式は、絶縁膜を磁性体で挟んだ磁気トンネル接合素子(...
MRAMはLSIに使う既存の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)工程と整合性が良く、同社はMTJも同工程で作り込める構造を採用した。
チップはSOI(絶縁膜上シリコン)と付加回路を組み合わせてつくり、アンチフューズ型よりもチップサイズを小さくし、生産コストも半分程度に安くしたいという。 ... チップ自体の開...
一般に水素を吸収するには室温では1万気圧の高い圧力が必要で、アルミ表面の酸化膜層が反応を妨げるため、水素と直接反応によるアルミニウム水素化物の合成は困難とされていた。
トランジスタ構造に採用したのは、大電流を流せる「高誘電率ゲート絶縁膜(High―k)」とリーク電流の抑制効果がある「メタルゲート」。また、配線には低誘電率絶縁膜(Low―k&#...
同社の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)技術を用いた高周波(RF)スイッチなどのワイヤレス製品の販売を始めた、 同製品には、サファイア基板上の薄いシリコン層に、...
「メモリー」の生産比率が1%台に低下した一方、車載向けやゲーム機向けが増えている「ロジック」が50%を超え、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)など画像系半導体が主体の「...
ゲート絶縁膜に金属の薄い膜を形成する際に、2段階に分けて熱処理を施す。... 実験では、p型金属酸化膜半導体(MOS)のハフニウム酸化物のゲート絶縁膜に、膜厚0・5ナノメートル(...
「携帯電話向けの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーは、国内では端末販売方法が変わった影響を受け需要が停滞している。
試作したトランジスタは電気特性(電子移動度)を劣化させず、絶縁膜の厚さが従来のシリコン酸化膜と同等の電気的膜厚に換算した値(EOT)で0・57ナノメートル(ナノ...
相補型金属酸化膜半導体(CMOS)製造プロセスに適用でき、貴金属など高価な部材を使わない。 ... 開発した素子はタンタル電極とコバルト酸化物を接合。... RRAMは酸化膜を...
AD―1500は、30万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)カメラ、音声マイクを搭載し、発光ダイオード(LED)をライトとして使用しながら、映像撮影ができる。
特性を維持しつつ成膜工程を3分の2に短縮、低コスト化に道を開いた。... 絶縁膜材料は誘電率2・1の多孔質シリコン酸化膜。塗布成膜から焼成、シリルガスによる疎水化処理までの従来工程を改善し、焼成工程と...
近くサンプル出荷する予定で、金属酸化膜電解トランジスタ(MOSFET)に駆動回路などを組み合わせ、インバーターなどを製品化する。
有効画素数2460万画素の35ミリメートルフルサイズ相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーと、独自の画像処理エンジン「ビオンズ」2個を搭載した。
開発したFETは電流が流れているときの抵抗が3ミリオーム平方センチメートルで、一般的なシリコン金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の50分の1。
現在、携帯用カメラのイメージセンサーは相補型金属酸化膜半導体(CMOS)が主流だが、デジカメにより近い性能を実現するためには電荷結合素子(CCD)に戻る可能性がある。
