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記事検索結果
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有効画素数1510万の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーと、処理速度を約30%高めた映像処理エンジン「DIGIC4」を新たに開発、搭載した。
長さ10センチメートルのパイプの先端に直径3ミリメートルの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを取り付けて、狭い場所を高感度に撮影できる。
三洋半導体(群馬県大泉町、田端輝夫社長、0276・61・8341)は、リチウムイオン電池向け充放電保護回路のスイッチとして使うMOSFET(金属酸化膜電界効果トランジスタ...
以前は電荷結合素子(CCD)カメラを使っていましたが、07年発売では相補型金属酸化膜半導体(CMOS)カメラに切り替え、機能を落とさず低価格化を実現した。
日本エレクトロセンサリデバイス(大阪市西区、力身(りきみ)総一郎社長、06・6534・5300)は、独自開発のエリア相補型金属酸化膜半導体(CMOS)セ...
酸化膜や窒化膜、ポリシリコンなどの半導体膜を加工する。予備室を備えることで加工の効率化を図りながら自然酸化膜の生成を抑制。... 多様な膜種の処理を可能にするとともに利便性を高めた。
さらに動作抵抗が0・1オームと低い金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)で低損失を実現、放熱部品を不要としたことなどで小型化した。
ルネサステクノロジは14日、二つのパワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を一つのパッケージに収めた「RJK0383DPA=写真」を製品化したと発表した。
65ナノメートル(ナノは10億分の1)相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで試作した回路では、処理量が増えた時に低下する電源電圧の値が約40%改善した。&...
東芝やソニーなど半導体製造の民間11社が出資する半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS...
開発技術は、LSI内の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を構成するn型、p型のトランジスタとメモリー用トランジスタのゲート電極に共通の新金属材料を使う。 絶縁膜は従来材料のシリ...
東芝と米IBMは共同で、次世代LSIに適用を目指す、補型金属酸化膜半導体(CMOS)トランジスタの新しい基板を開発した。... 開発した基板は、結晶面が(100)のシリ...
カシオ計算機 手のひらになじむ曲線形状で持ちやすく、操作しやすいハンディターミナルの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージャー搭載モデル「DT―X7 M52S」を9...
東芝は19日、45ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)ロジックに適用する、新しい設計モデルを開発したと発表した。
NECエレクトロニクスは先端LSIの40ナノメートル(ナノは10億分の1)相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセス向けに、トランジスタ特性のバラつきを低減する技術を開...
