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記事検索結果
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デジタルカメラの代表的な撮像素子(イメージセンサー)である電荷結合素子(CCD)と相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを中心にカメラ技術について、...
表面処理をしたポリエステルフィルムに3層の透明酸化膜と2層の銀化合物薄膜を交互に形成した5層構造とした。「透明酸化膜と銀化合物薄膜の構造が緻密(ちみつ)なため、各層が均質な薄膜を保てる...
ソニーは11日、シリコン基板の裏側から光を照射する構造にした相補型金属酸化膜撮像素子(CMOSイメージセンサー)を試作したと発表した。
ルネサステクノロジはハンディ無線機などの送信電力増幅用に、高周波パワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)「RQA0010」と「RQA0014」を製品化した。
バイポーラや相補型金属酸化膜半導体(CMOS)などの特徴を一つに集約したBCDプロセス技術を最大で32個同時測定できる。
産業用途で高耐圧の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を欧州で、スイッチ機能を持つ金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を東南アジアで拡販する。
京都大学の木本恒暢教授、須田淳准教授、登尾正人研究員らは、炭化シリコン(SiC)横型の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製した。
回路をウエハーに焼き付ける製造前工程の投資では、甲府事業所(山梨県甲斐市)に敷設する直径200ミリメートル(8インチ)ウエハーラインを増強し、電源などのスイッチ機能を持...
一方で、材料選定を含む要素技術開発では米IBMと提携、昨年末には相補型金属酸化膜半導体(CMOS)製造プロセスの技術開発にも提携範囲を拡大した。
真空中で材料の結晶表面にアルゴンビームを照射し、酸化膜を取り除いて原子レベルで膜を接合しやすくする「常温接合」法を初めて光デバイスに応用した。常温で数ミリメートル角の膜をすき間なくはり合わせられるため...
配線中の金属原子が溶出して断線する現象「エレクトロ・マイグレーション(EM)」や、「酸化膜経時破壊(TDDB)」など、高温下での信頼性を試験する。
東芝やNECエレクトロニクスなど半導体製造の民間11社が出資する半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、相補型金属酸化膜半導体&...
光技術を応用した輸送機器用先端素材として、ヤマハは電荷結合素子(CCD)カメラの8000倍の性能を持つ相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを、日星電気はエンジンの...
松下電器産業はリチウムイオン電池の保護回路向けパワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品のサンプル出荷を始めた。
相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーと赤外線を用いて、検出対象の奥行きや高さ、位置関係、距離、相対スピードなどを処理する。
