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記事検索結果
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TDKは7日、東京医科歯科大学と共同で高感度磁気抵抗(MR)素子による心臓の磁場分布測定に世界で初めて成功したと発表した。
産業技術総合研究所は、次世代の不揮発性磁気メモリーである「スピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT―MRAM)」の記憶安定性を2倍に向上した。... 産総研スピントロニク...
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻、理化学研究所創発物性科学研究センター、東北大学金属材料研究所の共同チームは、ナノスケール(ナノは10億分の1)の渦状の磁気構造体である「スキルミ...
東京大学物性研究所の徳永将史准教授らは、兵庫県立大学、電気通信大学と共同で、グラフェンに次ぐ2次元材料として注目されている黒リンが巨大な磁気抵抗効果を持つことを発見した。... 研究チームは、常圧から...
また日本電産では、SiC半導体によって小型化したインバーターを一体化した可変磁気抵抗(SR)モーターを試作。
【京都】日本電産はSiC(炭化ケイ素)半導体搭載のインバーターと一体化した可変磁気抵抗(SR)モーター(写真)の試作を完成した。
大阪大学の鈴木義茂教授、産業技術総合研究所の湯浅新治ナノスピントロニクス研究センター長らが磁気抵抗メモリー(MRAM)の開発を担当。... 佐橋氏は東芝で、巨大磁気抵抗効果(G...
マグネスケール(神奈川県伊勢原市、藤森徹社長、0463・92・1011)は、検出ヘッドとスケールが分離したオープン型で5ナノメートル(ナノは10億分の1)の高分解能を達...
そのほか、脳の活動状態を計測できる「機能的磁気共鳴断層撮影装置」(fMRI)の原理を開発した東北福祉大学の小川誠二特任教授らが有力とみられている。 ...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、スピン(磁気的性質)注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)のメモリーのデータを蓄える磁気トンネル接合&#...
低消費電力で磁気の書き込みができ、磁気記録や不揮発性の固体磁気メモリーへの応用が見込める。... 開発技術を使えば、例えばトンネル磁気抵抗素子に流れる電流は0・1ミリアンぺア以下ですむ。
東北大学原子分子材料科学高等研究機構の寒川誠二教授の研究グループは、東京エレクトロンと共同で、次世代記憶素子である磁気抵抗メモリー(MRAM)デバイスを精度良く加工する新しいエッチング...
▽桜庭裕弥物材機構主任研究員「高スピン偏極ホイスラー合金ハーフメタルを用いた超高性能磁気抵抗素子の実現」▽都甲薫筑波大助教「絶縁体上におけるゲルマニウム結晶薄膜の高品質形成とデバイス応用に関する研究」...
磁気抵抗の効果は電気伝導を担う電子で、上向きスピンと下向きスピンの差となる「スピン偏極率」が重要になる。 ... イオン間に働き磁気相互作用の制御をすることで高い磁気転移温度を有する...
村田製作所は3日、360度の全方位で磁界が検出できる3D磁気センサー(写真)を開発したと発表した。... 13年にNECから事業買収した磁気センサーの技術やノウハウを応用。... 磁気...
