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記事検索結果
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1ケタナノメートル台の半導体を製造するのに欠かせない極端紫外線(EUV)のマスク用防護カバー製造装置やEUV用に設計された塗布・現像装置などが対象になる。EUVの1世代前「ArF液浸」...
一方、JSRや東京応化工業、住友化学などが展開する極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストでは、輸出管理厳格化の影響はほとんどなかったようだ。... フォトレジストは日本企業が世界シ...
最新機種のCG7300は極端紫外線(EUV)露光装置を用いる最先端半導体の量産ラインへの導入を目指し18年に開発を始めた。
EUV露光装置を手がけるASMLの22年10―12月期の営業利益は同約4%増の21億2400万ユーロ(約3027億円)。EUVに次ぐ微細加工が可能なArF液浸露光装置でシェア2...
ASMLは1ケタナノメートル台の半導体製造に不可欠なEUV(極端紫外線)露光装置で世界シェアを独占する。... 例えば、EUVより一世代前の「ArF液浸」露光装置はニコンが世界シェアの...
次世代材料では最先端の極端紫外線(EUV)露光に対応したフォトレジスト用ポリマーや「有機金属プリカーサー」などを開発している。... EUVレジスト用ポリマーや有機金属プリカーサー、パ...
これを捉え、プラズマの中空構造がEUV発光効率を高めると突き止めた。... これを最適化すると、EUVの高出力化につながる。EUVはミラーでの反射率が低く、光源の高出力化が求められていた。
半導体露光装置などの精機事業ではデジタル露光、映像事業では映像コンテンツ、ヘルスケア事業では細胞受託生産・創薬支援、コンポーネント事業では光学・極端紫外線(EUV)関連部品などを成長ド...
半導体部材、技術革新に挑む 全額出資子会社のAGCエレクトロニクス(福島県郡山市)が生産する半導体向けの極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランク...
半導体回路の微細化に不可欠な極端紫外線(EUV)の露光装置を使った量産技術の開発を共同で進める。 imecはEUV露光技術のノウハウを持つ。
「1β」の開発には3年間に毎年10億ドル規模の投資を行い、韓サムスン電子などが採用している先端の露光技術「極端紫外線(EUV)」を使わず、成熟した「ArF液浸」の技術を用いて開発に成功...
半導体のナノ形状計測 近年、先端半導体製造技術として極端紫外線(EUV)リソグラフィーが実用化され、現在はその性能を向上させるための研究開発が活発に行われている。半導...
中でも半導体の露光工程では、極端紫外線(EUV)の導入が拡大すると見ており、関連材料は伸長するだろう」 ―マーケティングの強化を重点課題に掲げています。 &#...
同時に現行スパコンの高度化のために、次世代シリコン半導体や極端紫外線(EUV)リソグラフィー光源などの技術を開発する。
溶剤以外でも能力増強や、最先端のEUV(極端紫外線)レジストポリマーの開発など、市場拡大に対応した事業強化を進めている。
同工場では次世代半導体の製造に不可欠とされる極端紫外線(EUV)露光に対応した製品を含む各種フォトレジストや、同じく半導体の製造に欠かせない高純度化学薬品を生産する。
ArF(フッ化アルゴン)レジスト用モノマーは世界シェア首位でEUV(極端紫外線)レジストにもモノマーを供給。
同社は半導体フォトマスク欠陥検査装置の大手メーカーだが、特に最先端分野であるEUV(極端紫外線:Extreme Ultraviolet)用フォトマスク向けでは独占的なポ...
現在半導体大手は極端紫外線(EUV)露光を用いて線幅2ナノメートル(ナノは10億分の1)の実現を目指している。
ASML、EUV供給を独占 「ムーアの法則は、今後10年以降も続いていく見通しで、それを中心的に支えるのが最先端のEUV露光装置だ」―。... ASMLが供給を独占するEU...
