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サファイア基板やアルミナ基板、シリコンウエハーなどの高速微細加工への用途を見込む。

窒化ガリウムを直接サファイアに張り付けていたが、間に窒化アルミを敷くときれいになると思い挑戦した。... 逆に温度を低くして窒化ガリウムとサファイアの間に低温窒化アルミバッファ層の生成につなげたことで...

サファイア基板を使うのが主流だが、旭化成は窒化アルミニウム基板を採用した。サファイア基板に比べて結晶欠陥が大幅に少なく高出力化できる。

GaNをサファイア基板上に成膜するのがポイントで、従来のシリコン(Si)基板採用のGaNパワー半導体と比べ、定格電圧を2倍の1200ボルトに引き上げた。... これまでGaNパワー半導...

【サファイア超え】 光の反射や腐食防止といった特性を簡単に付加できるほか、一度加工すれば表面の硬さはダイヤモンドに次ぐサファイアを上回り、フッ素のように途中ではがれることなく長く使え...

そこで同社は、サファイアに凹凸加工した基板上へ緩衝層として施す窒化ガリウム(GaN)に換え、窒化アルミニウム(AlN)を積層。

窒化ガリウム基板は従来のサファイア基板に比べて消費電力を抑えながら高出力のLED照明を生産することが可能。

また自動グラインダーには6・3キロワットのスピンドルを搭載し、SiCのほかサファイアなどの難削材の研削・研磨加工が可能となる。

LED基板は、サファイア基板をベースに窒化ガリウム(GaN)と発光層を重ねて作っている。サファイアは絶縁性が高いため、GaNの層に電極を取り付けて通電する必要があった。... Ga2O...

LED向けサファイア単結晶製造用イリジウムるつぼの世界シェアは推定4割、特に大口径対応CZ法では6―7割を誇る。

海外では台湾の慶鴻機電工業(台中市)が、スマホ向け主力製品を、放電加工機からサファイアガラス加工機へシフトしようと模索している。

3月末に発光ダイオード(LED)材料のサファイア基板の製造から撤退し、設備をLT/LN基板向けに転用する。 ... 住鉱国富電子に加えて、全額出資子会社の大...

従来の超解像顕微鏡は、チタンサファイアレーザーなど大型で高価な光源が必要で解析時間が長かった。

“切る・磨く”最先端技術による半導体のシリコンウエハー、発光ダイオード(LED)のサファイア、次世代パワー半導体の炭化ケイ素、ガラス関連などの材料がある。 ... 「...

同ユニットを用いて、数ミリメートル四方のサファイア立方体に最細で直径0・1ミリメートル貫通穴の生成も可能。

ノーベル物理学賞受賞者の中村修二米カリフォルニア大学サンタバーバラ校教授が20日、都内で記者会見し、同教授が開発した窒化ガリウム(GaN)技術をベースにした紫色発光ダイオード(...

加熱の工程でサファイア基板が変形し、GaN結晶が割れてしまう。... サファイアの基板上に小さなGaN結晶をいくつも点在させ、ナトリウムフラックス法で成長させた。... 加熱でサファイア基板が縮んでも...

サファイアなど他のセラミックスでも切削改善効果を確認した。

ノーベル賞の受賞対象になったのは、サファイア基板やシリコン基板上に窒化ガリウム(GaN)系の半導体を積層した青色LEDの技術だ。

大画面化、電子決済機能の追加など盛り返したアイフォーン6/6プラスも予定していたサファイアガラスの搭載は断念した。

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