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記事検索結果
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【名古屋】日本高圧電気(愛知県大府市、高岡本州社長、0562・45・5595)は、磁気特性を利用した自動車のスポット溶接部分の非破壊検査装置(写真)を拡販する。... ...
スピンの向きによって抵抗値が変わる「磁気抵抗膜」に磁気トンネル接合膜を使い、外部から磁界を加えてスピンの向きを膜面に垂直な方向に傾けることで振動安定性を高めた。... 磁気トンネル接合膜や素子の構造を...
FIRSTの目玉となり得る成果として学会でも大騒ぎとなった、磁場で電気抵抗が大きく変化する材料を発見したのも産総研の研究者だ。... これまで磁気抵抗材料の発見や、カーボンの新用途としてスーパーコンピ...
磁気的性質を持たない金属の磁気抵抗効果は非常に小さい。... 室温でも9テラスで6%の磁気抵抗効果を確認した。従来の磁気抵抗効果は低温下でも約10テラスの磁場で数倍程度だった。 ...
発見したのは、非磁性金属と磁性絶縁体を接合したときに現れる「スピンホール磁気抵抗効果」と呼ぶ新しい磁気抵抗効果。... 磁気抵抗効果を発現させるためには磁性体に電流を流す必要があった。このため、これま...
磁気を使わないためセンサーの搭載位置の自由度が増す。... 磁気抵抗(MR)センサーを使うのが現在は一般的だが、レンズ駆動用モーターに磁気が影響を与えるため、設置場所が限られている。
【京都】村田製作所はNECから磁気抵抗(MR)センサー事業を譲り受けることで合意した。... 携帯電話やノートパソコンの開閉検出の磁気スイッチ、水道・ガスメーターの流量検出用回転センサ...
独自のGMR(巨大磁気抵抗)素子を採用することでコア(鉄心)を使用しない独自形状を実現。... ハードディスク駆動装置(HDD)用磁気ヘッドで培った高感...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、ロジック高密度集積回路(LSI)混載のキャッシュメモリー向けにスピン注入型高性能磁気抵抗メモリー「STT―MRAM」を開発し...
東北大学大学院工学研究科の一ノ倉理教授らの研究チームは日立製作所と共同で、レアアース(希土類)を用いない可変磁気抵抗(SR)モーターを開発した。
金属酸化物は電気抵抗が低温でゼロになる「高温超電導」をつくれる。また磁場をかけることで電気抵抗が1000分の1の「超巨大磁気抵抗」になるなど、新しい電子デバイス材料として注目されている。 &#...
量産を検討するのは3次元NAND型フラッシュメモリーと、ReRAM(抵抗変化型メモリー)の2種類。... サムスンも3次元NAND、MRAM(磁気抵抗メモリー)、ReR...
物質・材料研究機構の櫻井裕也超伝導物性材料ユニット主任研究員と福井大学の研究グループは、7万気圧の高圧をかけたまま昇温して合成することで、電気抵抗がケタ違いに変化する新物質「酸化クロムナトリウム...
東京工業大学応用セラミックス研究所の笹川崇男准教授と米スタンフォード大学などの日米共同研究チームは、遷移金属や希土類を含む化合物における高温超電導や巨大磁気抵抗などについて、発現のメカニズムのカギを握...
2月に経営破綻したエルピーダメモリもシャープとDRAMの1000倍近い速度で情報を読み書きできる「ReRAM(抵抗変化型メモリー)」と呼ばれる次世代メモリーの実用化を目指していた。韓国...
バッファローメモリ(名古屋市中区、050・5830・8900)は、使用頻度の高いデータの出し入れを行うキャッシュメモリーにMRAM(磁気抵抗変化型メモリー)を採用したソ...
MRAMのメモリー部である磁気トンネル接合(MTJ)素子のトンネル絶縁膜(酸化マグネシウム)層を、従来の一括作製法ではなく分割して作製する、新しい成膜プロセスを考案した...
