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記事検索結果
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オンの状態が光を消しても残ることから、記憶素子や光センサーにも利用できる。... 光照射で起こる金属原子架橋は光照射後も安定して存在するため、不揮発性素子として光信号の有無を記憶する。... 従来の画...
記憶素子に応用できる。素子寸法40ナノメートル(ナノは10億分の1)で、メモリーに換算して8ギガビット(ギガは10億)の容量を持つ。電源の供給がなくても10年以上、記憶...
集積回路に組み込む記憶素子(SRAM)の0・5ボルト動作を低コストで実現し、集積回路の消費電力を従来比約10分の1に減らせる可能性を開いた。
磁界で磁化を反転する現方式に比べて低消費電力で、半導体プロセスと整合性が良いため、記憶素子の微細化を進めやすい。 ... MTJ素子は、電流で磁化の方向が反転しない強磁性層(ピン層&#...
超電導体は磁気に弱く、磁気を注入した素子は開発されていなかった。... 今回の研究成果は、超電導体中での磁気が、量子コンピューターを構成する記憶素子の最小単位である量子ビットの有力な候補になることを示...
記憶素子となる垂直磁化方式のトンネル磁気抵抗素子(TMR素子)を改良し、従来方式の約100倍の5ギガビット(ギガは10億)を超える大容量スピンRAMを実現可能にした。....
米ヒューレット・パッカード(HP)の研究部門であるHPラボラトリーズは、記憶素子(メモリー)と抵抗器(レジスター)の電気的特性を組み合わせた単一デバイス...
物質・材料研究機構と大阪大学は共同で、炭素原子で構成された分子「フラーレン」の一つであるC60分子の薄膜を使い、既存の記憶素子の約1000倍の密度でデジタル情報を記録できる技術を開発した。... 大容...
文字通り、DRAMやフラッシュメモリー、SRAMなど既存技術の“良いとこ取り”を狙う次世代メモリー(記憶素子)のことだ。... 本命候補は複数あるが、記憶容量やコスト面でハードルが高い...
NORフラッシュでは高シェアを握るものの、市場の大勢は記憶容量の勝るNANDフラッシュが優勢。... NANDフラッシュは数年後に迫る10ナノメートル(ナノは10億分の1)台で微細化の...
このため代替として注目されているのが、磁気トンネル接合(MTJ)素子などの磁性材料に電流を流すことで磁化方向が反転する現象を利用した記憶素子のスピン注入型MRAM。... 今回、MTJ...
産業技術総合研究所は、次世代の記憶素子である磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)の大容量化につながる新構造のトンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発した。... 磁...
「MONOS型」と呼ばれるメモリーで、素子を長寿命化できる構造を理論的に提案した。... MONOS型メモリーは、書き換え可能なEEPROMなどに搭載されている記憶素子。
「来年のビット成長(記憶容量ベースの需要伸び率)は1・7倍程度を予測しているが、10年上期は供給の方が少ないだろう。... MRAM(磁気抵抗メモリー)やReRM...
NECとNECエレクトロニクスは、電源を切ってもデータが消えない次世代の不揮発性メモリーReRAM(抵抗記憶素子)を開発した。素子の電極材料に、微細加工しやすいルテニウムを初めて採用し...
東芝は40ナノメートル(ナノは10億分の1)世代のシステムオンチップ(SoC)向けに、外部環境の変化によらずにID情報などを書き込める記憶素子(OTPメモリー&...
強誘電体メモリー(FRAM)素子に応用すれば、集積度が従来比1000倍に向上する。ギガビット級(ギガは10億)容量の次世代記憶素子の開発が視野に入った。 ......
