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記事検索結果
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京大とTDKなどのグループが、現在のCMOS(相補型金属酸化膜半導体)半導体に代わるものとして、2014年に開発した「スピン金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(スピンMOSF...
【新棟を建設】 ロームは、SiC製のショットキーバリアーダイオード(SBD)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のメーカーとして、世...
同社はこのほど、縦型GaNを使った金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)や直流(DC)/DCコンバーターなどを試作した。
1枚のグラフェンに電極を貼り付け、電界効果トランジスタとして機能させる。... 液中に浮いたグラフェンをシリコン基板上にすくい上げ、電極を配線してトランジスタとする。... トランジスタの大きさは10...
ルネサスエレクトロニクスは、宇宙産業向けに放射線耐性を持つ窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)と、GaNFETドライバーICを発売した。... シリコン...
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とダイオードの両方にSiCを採用。
宇宙航空研究開発機構(JAXA)と富士電機は、放射線耐性に優れ、電流損失を低く抑えられる「宇宙用SJパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...
東芝は次世代パワー半導体として期待される窒化ガリウム素子「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」(MOSFET)の実用化につながるプロセス技術を開発した。
「車載、産業機器向けの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に最も力を入れている。... 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は車載に加え、社会イ...
当社は2010年にSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を世界で初めて量産化した。... ゲート酸化膜にかかる電界を低減し、壊れにくくした」 ...
「17年からSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を始めた。IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)も拡充する。
ローム・アポロ製造支援部の藤本武文氏は、スイッチ作用をする金属酸化膜半導体(MOS)型電界効果トランジスタで、顧客ごとの要求性能に合わせ部分的に最適化する開発を全体最適化に改める研究に...
10月10日の初会合では、東京医科歯科大学の合田達郎助教が「電界効果トランジスタを用いたバイオセンシング」をテーマに講演する。
新電元工業は従来品比で約1・8倍の大電流を流せる車載用金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発し2018年春から量産を始める。
同モジュールを構成するトランジスタとダイオードはシリコン(Si)より電力損失が少ないシリコンカーバイド(SiC)製。... 高耐圧チップの開発、パッケージ技術、金属酸化...
トランジスタ回路を微細化できる新構造を採用。... 電流を制御するゲート電極を垂直方向に埋め込む「トレンチ構造」を採用し、トランジスタ回路の幅を従来に比べ半分以下にした。... 従来構造のSiC金属酸...
同コンソーシアムが線幅7ナノメートルのテストチップまで採用してきたフィン型の電界効果トランジスタ(FinFET=フィンフェット)構造に代わり、IBMが10年以上かけて研究してき...
そのためPN接合による電界効果トランジスタ(FET)を実現できず、パワー半導体の材料として採用することは非現実的との見方が強かった。
【京都】ロームは金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」シリーズに、インバーター回路の低消費電力化に適した「R60xxMNxシリーズ=写真」を追加し...
