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微細化の先に(5)NECエレクトロニクス執行役員・福間雅夫氏（2008/6/12）

また、すべてのマイコンにフラッシュメモリーを搭載しているが、今後、回路微細化を一段と進めて、高度な処理を行う際にはフラッシュメモリーの代わりに、磁気抵抗を用いたMRAMや相変化膜を用いたPRAMなどの...

微細化の先に(4)NEC中央研究所支配人・住広直孝氏（2008/6/10）

「次世代メモリーとして磁気抵抗を用いた『MRAM』の研究開発に力を入れているほか、通信用LSIやスパコン用LSIなどがある。... 「NECグループではMRAMに力を入れている。... 相変化膜を用い...

微細化の先に(3)エルピーダメモリ取締役・安達隆郎氏（2008/6/5）

技術提携先のキマンダは相変化膜を用いた『PRAM』や磁気抵抗を用いた『MRAM』の技術を持っており、研究開発コストを分担していきたい」 ―UMCとの共同開発の進ちょく状況は。

信越化学、次世代メモリー向け大型磁気回路を開発（2008/4/10）

MRAMの製造工程で磁場を発生する際に使うもので、直径300ミリメートルのウエハーに対応している。... MRAMは半導体メーカーが試作開発を進めている段階にある。信越化学ではMRAMの本格的な立ち上...