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記事検索結果
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HDにはディスクの表面に磁気情報が書き込まれ、それを高感度な磁気抵抗センサーが読み取って再生している。... 【MRAMに照準】 スピントロニクス分野の中で次の実用化のターゲットとな...
NECは20日、電子式水道・ガスメーター向け磁気センサーの新製品(写真)を発売したと発表した。... 磁気抵抗素子の成膜工程を改善し、磁石の回転検出感度も高めた。
【京都】日本電産は2015年ごろまでに2000億―3000億円を投じてレアアース(希土類)を使わない可変磁気抵抗(SR)モーターの世界での量産体制を整備する。
エルピーダメモリは24日、次世代メモリーの一つのReRAM(抵抗変化型メモリー)を開発したと発表した。... 東芝は次世代メモリーとしてMRAM(磁気抵抗変化型ランダムアクセス...
日本電産は、価格や調達の問題があるレアアース(希土類)を使わない車載用の可変磁気抵抗モーター(SRモーター=写真)を、18―20日に東京ビッグサイト(東...
【高齢社会を豊かにする科学・技術・システムの創成】▽高齢者の記憶と認知機能低下に対する生活支援ロボットシステムの開発=NEC、国立障害者リハビリテーションセンター▽高齢者の経験・知識・技能を社...
単結晶における新しいタイプの磁気抵抗効果の発見であり、新型の磁気抵抗素子の開発につながる。 ... 従来の磁気抵抗効果は主に多層膜で得られており、「0」か「1」の2値で情報を記録して...
物質・材料研究機構は高密度のハードディスクドライブ(HDD)に搭載する再生ヘッドに適した磁気抵抗素子を開発した。... 強磁性層の間に反強磁性の交換結合が作られており、従来の素子の約4...
このため、磁気抵抗効果を産業に応用するのは困難であった。 ところが、88年に巨大磁気抵抗(GMR)効果という新たな磁気抵抗効果が発見された。... これらの磁気抵抗効...
産業技術総合研究所は、電源を切ってもデータが消えない不揮発性の固体記憶素子「相変化メモリー」が常温で巨大な磁気抵抗効果を示すことを世界で初めて発見した。既存の不揮発性記憶素子である磁気抵抗メモリー&#...
NXPセミコンダクターズ(東京都渋谷区、0120・950・032)は車載用の新型の磁気抵抗角度センサー「KMA210」を発売した。磁気抵抗センサーチップや最先端技術を活用したASICを...
東芝は13日、韓国・ハイニックス半導体と磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリー(MRAM)技術を共同開発することで合意したと発表した。
物質・材料研究機構の原田善之特別研究員らの研究グループは、次世代メモリーとして期待されているReRAM(抵抗記憶素子)でレアメタルを使わない素子の集積化プロセスを開発した。... デバ...
またハードディスクなどの磁気デバイスに広く応用されている磁気抵抗効果に関して、シリコンで巨大な磁気抵抗効果が発現することを発見した。
【物理学賞/巨大磁気抵抗効果・十倉東大教授】 日本がこれまで最も多く受賞してきた部門。... 有力候補者とされて久しいのが、磁場によって電気抵抗を大きく変化させる酸化物の「巨大磁気抵...
高感度TMR(トンネル磁気抵抗)素子や電場によるスピン制御を利用するデバイスなど次世代デバイス開発が進展するものと期待できる。... 研究グループは大型放射光施設SPring−8の「軟...
巨大磁気抵抗効果や量子スピンホール効果など、電子のスピンが引き起こす現象の解明が進むことが期待でき、省電力の次世代素子であるスピントロニクスデバイスの開発につながる。
【仙台】東北大学電気通信研究所の池田正二准教授と大野英男教授のグループは日立製作所と共同で、高いメモリー容量と不揮発性を兼ね備えた垂直磁化トンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発した。.....
