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記事検索結果
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マイクロ波IC向けのトンネル磁気抵抗素子を開発し、マイクロ波ICを構成する発振器や検波器、周波数変換器が実際に使えることを確かめたほか、強磁性演算素子も新たに開発した。... マイクロ波IC向けのトン...
開発したTMR素子は抵抗値が低い上に、85%もの高い磁気抵抗比を持つ。1ギガビット級の大容量スピンRAMを実現するには、50%を越える磁気抵抗比が必要だった。今後はさらに磁気抵抗比を高...
【市村産業賞功績賞】▽「柔軟性を有する結晶性グラファイトの開発と実用化」(パナソニック、長崎総合科学大学)▽「高性能リチウムイオン電池を搭載した新世代電気自動車の実用化」(三菱...
システムLSI混載用途に加え、メモリー単体としてDRAMやSRAMの置き換えが期待されているのが、MRAM(磁気抵抗ランダムアクセスメモリー)だ。... 電圧をかけるとトンネル電流が流...
【1粒子で扱う】 物質が示すさまざまな電気的・磁気的・光学的性質は、すべてその物質中の電子集団の性質で決まっている。... 驚異的な高い温度での超電導(高温超電導)や、磁界で抵...
NANDフラッシュは数年後に迫る10ナノメートル(ナノは10億分の1)台で微細化の限界になると見られ、ポスト候補はPRAMやMRAM(磁気抵抗メモリー)やReRM...
【神戸】ビー・エル・オートテック(神戸市兵庫区、安田正信社長、078・682・2611)は、兵庫県立工業技術センター(神戸市須磨区)と共同で、磁気式触覚センサー「マグネ...
産業技術総合研究所は、次世代の記憶素子である磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)の大容量化につながる新構造のトンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発した。... 1...
MRAM(磁気抵抗メモリー)やReRM(抵抗記憶素子)も研究しており、すべてを並行して開発しなければならない」 ―システムLSIの分社と業界再編は。
スピントロニクス材料の設計に貢献するほか、磁気メモリーなどに利用する巨大磁気抵抗効果の基礎研究などが進むと期待される。 ... 大型放射光施設「SPring―8」の高エネルギーX線を利用した磁...
こうした中、注目を集めるのが相変化メモリー(PRAM)や磁気抵抗メモリー(MRAM)。... 一方、MRAMは、ハードディスク駆動装置と同様に磁気によりデータを保持する...
東北大学大学院工学研究科の安藤康夫教授らの研究グループは、室温で世界最高の磁気抵抗効果を示す素子を開発した。... 二重トンネル障壁MTJの中間の強磁性膜の厚さは1・2ナノメートル(ナノは10...
「第20回つくば賞」▽湯浅新治産業技術総合研究所スピントロニクス研究グループ長(40)、鈴木義茂大阪大学大学院教授兼産総研スピントロニクス研究グループ客員研究員(49)...
他は「酸化マグネシウム系トンネル磁気抵抗素子およびその量産技術」のテーマで、産業技術総合研究所の湯浅新治エレクトロニクススピントロニクスグループ長とキヤノンアネルバ、「生体を模倣した味認識装置(...
ハードディスク駆動装置(HDD)など磁気記録メディアでは容量を増やすため、水平記録方式から垂直記録方式へ移行が進む。... 酸化物は磁気を安定させる役割を持つ一方、酸化物を用いるとパー...
磁場を加えると、絶縁体から金属に転移する巨大磁気抵抗効果を持つマンガン酸化物を使う。... 電流などで電子スピンの方向を制御するため、巨大磁気抵抗効果を示すマンガン酸化物が使われる。 従来、マ...
ルネサステクノロジは2012年に、チップ上の回路線幅に65ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した磁気抵抗メモリー(MRAM)を市場投入する。
電子スピンを利用して電流を発生させる「スピン起電力」の実証に、東北大学金属材料研究所の前川禎道教授、東京大学大学院工学系研究科の田中雅明教授らのグループが磁気トンネルデバイスを使った実験で成功した。....
