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三菱電、来年度からSiC半導体量産−3社からウエハー調達（2010/5/25）

三菱電機は24日、経営方針説明会を開き、ウエハーにシリコン炭化ケイ素(SiC)を使った次世代半導体モジュールを2011年度から量産する方針を明らかにした。... 電力損失が少ないSiC...

大日本スクリーン、機能絞り価格半値の半導体洗浄装置を開発（2009/12/4）

大日本スクリーン製造は従来機種に比べて価格を半分以下に抑えたバッチ式半導体洗浄装置を開発し、2010年初頭から販売する。... 大日本スクリーンは半導体製造装置事業で足元の受注が急回復しているものの、...

半導体製造装置大手、相次ぎ成長分野参入（2009/12/2）

半導体製造装置大手が相次ぎ新分野に参入する。... SiCは次世代パワー半導体材料として期待され、NANDフラッシュは多機能携帯電話の販売増で需要が急拡大している。... SiC半導体はシリコン製に比...

三菱電、電力損失を9割低減させたSiCインバーター試作（2009/11/12）

三菱電機は11日、炭化ケイ素(SiC)半導体を内蔵した新しいインバーターを試作し、シリコン製半導体を内蔵したタイプに比べて電力損失を9割低減できることを実証したと発表した。従来のSiC...

グリーンデバイス最前線/第1部・エコカー協奏と競争(2) （2009/10/21）

「炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を使えば、ボディーから自然放熱できるかもしれない」(富士重工業EV開発担当者)―。 ... 現時点でSiC半導体はダイオードで...

日立国際、SiC半導体製造用のアニール装置を開発（2009/9/8）

日立国際電気は炭化ケイ素(SiC)半導体製造用の縦型バッチ式超高温アニール装置を開発、2010年から出荷する。... SiC半導体は高耐圧化や低損失化、高温時の安定動作などの面で物理的...

【先行他社と差異化】次世代の半導体ウエハー材料と目される炭化ケイ素(SiC)。... 基本的には、現在の半導体材料であるシリコン単結晶と同じ製法だ。 ... それに思...

点欠陥ほぼ消滅−京大がSiC半導体結晶を作製（2009/4/8）

京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授らは、炭素原子の抜け穴などの点欠陥をほぼ無くした炭化シリコン(SiC)半導体結晶を作製した。... これは、結晶表面の二酸化シリコンとSiCの界面...

三菱電、熊本で次世代電力用SiC半導体の生産体制整備（2009/1/13）

SiC半導体は一般的なシリコン半導体と比べて、耐圧強度が10倍以上と高く、電力損失も少ない。... 東芝は、SiC半導体とシリコン半導体を組み合わせたハイブリッド型の三相逆変換回路(インバータ...

東京精電、SiC半導体搭載機器向け負荷試験装置を開発（2008/11/12）

【長野】東京精電(東京都杉並区、竜野三千生社長、03・3332・6666)は、炭化ケイ素(SiC)半導体を搭載したコンバーターの負荷試験に用いる「力率可変水冷負荷装置」...

シーテックジャパン2008、有機ELなど最先端を走る研究続々（2008/10/6）

次世代光源に期待される緑色レーザーの実用化も近いが、ロームの目玉は炭化ケイ素(SiC)半導体のパワーモジュールだ。... 今回は250度C以上の高温で駆動する新型SiCインバーターモジ...

東芝は炭化ケイ素(SiC)半導体とシリコン半導体を組み合わせたハイブリッド型の三相逆変換回路(インバーター)モジュールを開発する。... SiC半導体は一般的なシリコン...

関電、定格出力3倍のインバーター装置を開発（2008/6/26）

関西電力は定格出力の3倍となる300キロボルトアンぺアの電力を供給できる炭化ケイ素(SiC)製インバーター装置を開発した。... SiC半導体素子の大面積化や高耐熱絶縁樹脂の採用、冷却...

関西学院大学はエピクエスト(京都市南区、前野弘志社長、075・693・3356)、サンリック(東京都大田区、吉岡隆社長、03・3790・0061)と共同で、製造プロセス...