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記事検索結果
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東京大学大学院工学系研究科付属量子相エレクトロニクス研究センターの中野匡規特任准教授(研究当時、理化学研究所創発物性科学研究センター創発機能界面研究ユニットユニットリーダー兼任、現芝浦工業大学...
ノーマリーオフはゲート電圧をかけなければトランジスタがオフ状態になる。... この方法ではゲート電圧をゼロにしても、トランジスタがオフ状態にならない。新技術のようにゲート電圧ゼロでトランジスタがオフに...
音声の波形データをトランジスタのゲート電圧として入力し、分極状態としてデータを蓄えさせる。
デバイスの基本コンセプトやセルレイアウト、セル寸法は変更せず、ゲート電圧の選択自由度などを改善した。
これまでのゲート方式の量子コンピューターでは実用化が進む超電導回路の機種も含め、複数の量子ビットの同時操作は難しいとされていた。 ... 4個の量子ビットを2×2...
素子にゲート電圧をかけると、有機半導体を流れる電荷が有機メモリー材料に移動し、蓄積される。このとき、電極であるソース・ドレイン間を電流が流れ始める電圧(閾値電圧)がシフトし、この変化を...
今回、ゲート電極が形成された蝶ネクタイ型の人工ニューロン素子を試作。半導体集積回路で広く用いられているゲート電圧制御の手法を使い、発振素子の特性を高いエネルギー効率で制御できることを確認した。 ...
ある一定の電圧範囲だけ電流が流れる特殊なトランジスタである。言い換えればゲート電圧を一定以上に増加させると逆にドレイン電流が減少し始める「負性抵抗」が現れるのである。 ... その後...
トランジスタはゲート電極に加える電圧を制御し、電気信号のオン・オフを切り替える。ゲート電圧が高いほど動作が速い。 ... 高速化に関わるゲート電圧を、実用化済みのPN接合型GaNトラ...
有機トランジスタにゲート電圧をかけた時に生じる半導体の光透過率と反射率の微小な変化を電荷結合素子(CCD)センサーで撮影。素子性能の分布を光学イメージ化するゲート変調イメージング技術を...
【京都】ロームは産業機器向けに高耐圧で、交流から直流電圧に変換するAC/DCコンバーターを制御するIC「BD7682FJ―LB=写真」を開発し、8月からサンプル出荷を始める。... ...
鉄とシリコンの間に、スピンを効率よくシリコンに注入させるため酸化マグネシウム(MgO)を挟んだ上でスピン伝導を、基板背面からの電圧で制御するゲート電圧を試みた。ゲート電圧をマイナス25...
各MOSFETに形成したバックゲート電圧を変化させることで、しきい値電圧も制御できる。代表的なCMOS回路を試作し、電源電圧が0・37ボルトで動作することを確かめた。 電子機器の消費...
亜鉛を使った新型接合技術を採用し、ゲート電圧をわずかに変化させるだけで大きな電流変化を可能にした。従来のトランジスタではできなかった0・3ボルト以下の超低電圧動作の集積回路実現への道を開く。... こ...
ゲート電圧を変えずにより大きな電界が得られる立体構造に改良し、LSIをより低い消費電力で動かせるようにした。... 森田行則シリコンナノデバイスグループ主任研究員らは、高濃度の不純物を注入したソース上...
磁場やゲート電圧、ゲート電極などの有無により、プラズモンの伝搬速度を毎秒数十キロ―数千キロメートルと2ケタの幅で制御できることを実証した。
超電導に移る転移温度を電圧によって連続的に変化させ、温度10ケルビン以下で確認した。... 研究ではゲート電圧を、0(ゼロ)から0・8、2、5ボルトと変化させ、同トランジスタの電子数を...
筑波大学は、半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市)などと共同で、次世代LSIに使う高誘電率のゲート絶縁膜材料の信頼性が低下する要因を明らかにした。... 今回新たに、電圧...
開発したのは、一般的なMOS電界効果トランジスタ(FET)にスピン機能を担う磁性層をつくり、そこにゲート電圧をかけて、ソースとドレイン間に電流を流す。... これにより、SRAMベース...
