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記事検索結果
22件中、1ページ目 1〜20件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.015秒)
東京工業大学のファム・ナムハイ准教授、白倉孝典特任助教、石田乾学部生は、スピン軌道相互作用により、材料中を流れる電子がそのスピンの向きに応じて逆向きに曲げられる「スピンホール効果」を高温で増大させる新...
日比野研究員らはアモルファス新合金からなる微細配線上に、記憶素子(MTJ)を置いたスピン軌道トルク型(SOT)MRAM素子を試作した。
ニッケル鉄合金は透磁性が高く、プラチナはスピン軌道相互作用が大きい。そのためプラチナに電流を流すと電子のスピンが一定方向にそろう。 このスピン流がニッケル鉄合金に注入されると、スピン...
数多くの電子が電荷やスピン、軌道を通じて複雑に相互作用し合い、通常の金属や半導体では考えられない高速、省電力、多機能性といった特性を持つ可能性を秘める。
SOT―MRAMでは、配線層の電流からスピン角運動量の流れ(スピン流)へと変換される現象(スピン変換)が重要な書き込み技術となる。 この現象は、量子力...
広島大学の黒田健太准教授と東京大学の新井陽介大学院生、近藤猛准教授らは、本来は自由に動き回る伝導電子が局在スピン・軌道との相互作用で動きにくくなった準粒子「多極子ポーラロン」を発見した。... 局在ス...
待機電力を大幅減 東京工業大学のファム・ナムハイ准教授は米カリフォルニア大学ロサンゼルス校と共同で、不揮発性メモリーの大容量化につながるスピン軌道トルク磁気抵抗メ...
するとスピン軌道相互作用に伴う電気抵抗振動のうねりが観察された。... これにより、強い電子相関とスピン軌道相互作用が共存していたことが明らかになった。 ... スピンと電子相関の両...
強磁性半導体であるガリウムマンガンヒ素の単層薄膜を用い、電流を流すことによって生じる力「スピン軌道トルク」を利用した。... 現在、強磁性体の電子のスピン自由度を用いた新しい省エネルギーデバイスの開発...
東北大学大学院工学研究科の新田淳作教授らは、1ナノメートル(ナノは10億分の1)程度の厚さの層状化合物半導体「セレン化ガリウム」が、従来の高効率な半導体「ヒ化ガリウム」に比べ、電界の中...
固体中で原子が置かれている化学的環境要因とスピン軌道相互作用、磁気的交換相互作用を統一的に計算する手法を開発した。
安藤准教授らは、銅の「スピン軌道トルク」の生成効率が自然酸化によって10%以上になることを確認した。最も高性能なスピントロニクス材料の一つである白金のスピン軌道トルクの生成効率は10%...
研究グループは、新しい「スピン軌道トルク磁化反転方式」を考案し、その動作を実証した。... 最近、MRAMの新しい情報の書き込み方法として、スピンと軌道相互作用に由来するトルクを用いるスピン軌道トルク...
スピン自由度に基づく、新たな電子デバイスの開発につながる。 インジウム、ガリウム、ヒ素をベースとした半導体二重量子井戸において、スピン軌道の相互作用を効果的に使い、電子の持つスピン状...
「移動スピン共鳴=イメージ図」と名付けた電子スピンに関する新たな動作原理を見つけだして同原理を実証した。... 近年、半導体内のスピンを量子コンピューターに応用しようとする研究が活発化している...
【金沢】北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンターの山田省二教授、赤堀誠志助教らの研究グループは5日、スピン軌道相互作用を利用する超省エネルギー電子デバイスの実現につながる技術を開発...
ヘリウムイオンを使った新型のスピン偏極イオンビームは、最表面のスピンとだけ相互作用する。... 得られたデータの詳細な解析から理論モデルを構築し、スピン軌道相互作用を解明したことで、複合的な分析が可能...
