記事検索結果

磁化ゼロでもスピン分裂東大と名大、新たな反強磁性体発見（2024/4/25 科学技術・大学１）

研究グループは、有機分子固体に特有の二つの同じ分子が結合したダイマー構造を活用。磁化がゼロであるにもかかわらず、電子バンド構造にスピン分裂を示す反強磁性体「補償フェリ磁性体」が実現する新たな機構を見い...

「ポーラロン」実験的に形成、千葉大が実証伝導帯のバンド構造を初測定（2024/4/10 科学技術・大学）

千葉大学大学院工学研究院の吉田弘幸教授らは、有機半導体における伝導帯のバンド構造を初めて測定した。室温から液体窒素温度までのバンド幅の変化を測り、価電子帯と伝導帯のバンド幅の増加を観測。

スピンホール、高温下で増大東工大が新原理（2024/1/25 科学技術・大学２）

スピンホール効果の強さはスピンホール伝導率で表され、その大きさはバンド構造の幾何学的位相である「ベリー位相」の効果によって決まる。研究チームは非磁性体であるケイ化タンタルにおいて、...

材料進化の最前線 NIMS未来戦略(2)先端計測とデータ科学、融合で材料基盤研究（2023/10/18 科学技術・大学）

微細な構造の計測とシミュレーションを通じて物性のメカニズムを解明することもあれば、材料データベースと大規模計測データに基づき戦略的な材料設計を行うこともある。先端計測分野では、原子...

東北大、「トポロジカル物質」の特性実証（2023/10/12 科学技術・大学１）

東北大学のラウ・ヨンチャン特任助教(現中国科学院物理研究所准教授)、関剛斎准教授らの研究グループは、従来の金属や半導体とは異なるバンド構造の幾何学的性質を持つ「トポロジカル物質」の特性...

光学的バンド構造計測東工大など、新装置を開発（2021/6/10 大学・産学連携）

東京工業大学の雨宮智宏助教らは、東京インスツルメンツ(東京都江戸川区、河村賢一社長)と共同で、光学的微細構造を持つフォトニック結晶やメタマテリアルなどのフォトニックバンドダイアグラム&...

東大など、ニューラルネットで第一原理計算を精密に実行計算負荷大幅減（2021/5/24 科学技術・大学）

それぞれが基底状態と励起状態に当たり、物質の持つバンド構造が分かる。

広島大など、ハーフメタル状態観測強磁性合金で分光実験（2020/12/10 大学・産学連携）

多機能性の強磁性材料として知られるホイスラー合金(3種類の元素から成る強磁性体)の3次元的なバンド構造を観測。理論的に予測されていた、金属と絶縁体の二つの性質が両立する「ハーフメタル性...

磁性ワイル半金属に巨大な磁気光学効果東大など発見（2020/9/16 科学技術・大学）

電子の持つ運動量によって電子状態を表したものをバンド構造と呼び、二つのバンドが交差しているものをトポロジカルな電子構造と呼ぶ。ワイル半金属はトポロジカル物質の一つで、バンドの交差点(ワイル点&...

岡山大など、強誘電体の傾斜バンド構造観測（2020/8/3 科学技術・大学）

岡山大学と高輝度光科学研究センター、産業技術総合研究所、東京工業大学、仏パリサクレー大学の共同チームは、強誘電体の電気分極に由来する傾斜したバンド構造を観測した。... この動作原理は傾斜したバンド構...

研究加速へ/マテリアルズ・インフォマティクス(上)AI応用、新材料開発（2017/12/20 科学技術・大学）

高精度シミュレーションでデータを大量に生成し、無機物6万9640件、エネルギーバンド構造5万3648件などのデータを提供している。

半金属ビスマスは“トポロジカル物質”−東大など発見（2016/11/25 科学技術・大学）

トポロジカル物質は、バンド構造の形状(トポロジー)が通常の物質に対して反転した物質群であり、通常の物質ではみられない奇妙な性質が現れる。

豊田工大、高効率熱電素子など研究で新組織（2014/11/26）

ミクロ構造制御では電子材料の組成や結晶層を制御することで、結晶内の電子バンド構造や伝導性、熱伝導性を最適化する。一方、メソ構造制御は電子や光子を輸送したり閉じ込めたりする素子構造の...

東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻の田中雅明教授、大矢忍准教授の研究グループは、強磁性半導体のガリウム・マンガン・ヒ素試料において、強磁性が現れる機構の理解につながる重要な構造を明らかにした。....

東大など、鉄系超電導の構造解明−モデル作成（2008/8/4）

鉄系の超電導体は従来の銅酸化物に比べ複雑な構造をしており、この特徴ある構造が超電導を起こしやすくすることを突き止めた。... 鉄化合物(鉄とヒ素の化合物にランタン系の酸化物と少量のフッ素を添加...

独創研究集団・理研の最前線(59)300mmひずみSOI基板を量産化へ（2008/2/19）

ひずみSiはSiの結晶構造をひずませることでそのバンド構造を変え、電子やホールの移動度を約2倍に向上させ、デバイスの高速化を実現する。