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京大、350℃で「SiC半導体IC」基本動作実証相補型、消費電力抑える（2022/4/1 科学技術・大学）

低消費電力が可能な相補型の構造を持つ接合型電界効果トランジスタ(JFET)を開発。... SiC半導体は約800度Cまで正常に動作するが、ICで一般的な金属酸化膜半導体電界効果トランジ...

産総研のグリーン・イノベーション(59)ダイヤモンド半導体（2013/7/11）

【2つの伝導巧妙に】私たちはこの組み合わせをうまく工夫して、室温でも大電流を流せるダイオードのほか、電流増幅ができる接合型バイポーラトランジスタや高いオン・オフ比と急峻(き...

東工大・産総研、ダイヤ半導体を用いた接合型FETを動作（2012/8/23）

東京工業大学大学院理工学研究科の波多野睦子教授と産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門の山崎聡主幹研究員らは、ダイヤモンド半導体を用いた接合型電界効果トランジスタ(FET)を開発し、...

新日本無線、オペアンプの音質向上−量産モデルに追加（2011/10/20）

接合型電界効果トランジスタ(JFET)入力タイプ。回路設計を変えたほか、量産品の従来モデル「同8820」よりも応答速度の速いトランジスタを採用することで音質を高めた。