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記事検索結果
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東北大学の深見俊輔教授と五十嵐純太学術研究員(研究当時)、陣内佛霖助教(同)らは、使用条件に応じた磁気トンネル接合(MTJ)素子の設...
磁気トンネル接合(MTJ)を作ると室温で350%、極低温で1000%の変化幅があった。... 磁気抵抗メモリー(MRAM)やセンサーへの応用を図る。&#...
磁気トンネル接合素子のスピンの向きが高速で反転する現象を利用する。... FPGA(演算回路が自由に書き換えられる半導体)で疑似的なPビットを7085個を作り、磁気トンネル接合素子で高...
東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターの遠藤哲郎センター長と本庄弘明教授らは、ハンダ工程で高温耐性のある磁気トンネル接合素子(MTJ)を開発した。
MRAMの記憶素子は、2層の磁石間に薄いトンネル層を挟んだ磁気トンネル接合素子である。... 近年、記憶素子に接合した配線層に書き込み電流を流す3端子MRAM(SOT―MRAM)が提案...
プラスチックフィルム上に磁性体のコバルト鉄ボロンと絶縁体の酸化マグネシウムを積層して磁気トンネル接合を作製した。
東北大学の陣内佛霖助教と五十嵐純太学術研究員、深見俊輔教授らは、直径5ナノメートル(ナノは10億分の1)の磁気トンネル接合(MTJ)素子で10ナノ秒以下の高速...
内部は絶縁体だが表面に電気を通す「トポロジカル絶縁体」と、MRAMの記憶素子になる磁気トンネル接合を集積することに成功。... ビスマス・アンチモンのトポロジカル絶縁体の上にルテニウムを中間層とし、そ...
産業技術総合研究所新原理コンピューティング研究センター不揮発メモリチームの山本竜也研究員、野崎隆行研究チーム長、湯浅新治研究センター長らは磁気抵抗メモリー(MRAM)の磁気安定性を改善...
慶応義塾大学の海住英生准教授、緒方健太郎大学院生と中山雄介大学院生らは米ブラウン大学と共同で、世界最大となる約4・3倍のトンネル磁気キャパシタンス(TMC)効果の観測に成功した。TMC...
東北大学の永沼博准教授と遠藤哲郎教授らの研究グループは、1ケタナノメートル(ナノは10億分の1)世代の集積回路に対応したスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)...
ソニーセミコンダクタソリューションズ(神奈川県厚木市)の岡幹生デバイスエンジニアらが、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーに積層できるスピン注入型磁気抵抗...
この発電素子を磁気抵抗メモリー(MRAM)のように並べると、Wi―Fiとして飛び交う通信用電波で発電できると期待される。 コバルト鉄ボロンで絶縁体の酸化マグネシウムを...
さらに不揮発性磁気メモリー向けの磁気トンネル接合を基にしており、膜厚の調整のみで実現しているため、今後の大規模化に向け量産レベルの既存技術が使えるというメリットがある。
大阪大学大学院基礎工学研究科の後藤穣助教と鈴木義茂教授らは、産業技術総合研究所と仏グルノーブルアルプス大学と共同で、ナノメートルサイズ(ナノは10億分の1)の微小な磁石で磁気の強い場所...
産業技術総合研究所(産総研)は、電子の磁石としての性質(スピン)を利用した新機能電子デバイスの創製を目指すスピントロニクス技術に注目し、金属磁石薄膜を記憶層とする不揮発...
産業技術総合研究所スピントロニクス研究センター電圧スピントロニクスチームの塩田陽一研究員(現・京都大学助教)、野崎隆行研究チーム長らは、電圧書き込み方式の磁気メモリー(電圧トル...
従来、ハードディスク駆動装置(HDD)の磁気ヘッドなどに使われてきた磁気トンネル接合(MTJ)素子をひずみ検知素子として応用する。... 今回、MTJ素子の磁性体層に、...
