- トップ
- 検索結果
記事検索結果
184件中、1ページ目 1〜20件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.004秒)
スピントロニクス技術により、単一の磁気抵抗メモリー(MRAM)セルをアレイ状に並べる手法を用い、メモリー素子と演算素子を一つのチップ上に統合したコンピューティングインメモリーとして動か...
2027年度に製品化し、揮発性メモリー(SRAM)や磁気抵抗メモリー(MRAM)に対抗して置き換えを目指す。
電顕は日本のお家芸と言われ、磁気抵抗メモリー(MRAM)の開発や品質管理に必須の技術だ。... MRAMは磁性層を絶縁層を挟みながら積層し、磁性層の磁場の向きが平行か反平行かで電気抵抗...
TDKは主に車載用途を想定したトンネル磁気抵抗素子(TMR)角度センサーのラインアップを拡充した。... TMR角度センサーとは磁石の磁場方向を検知する磁気センサー...
アルプスアルパインの電流センサーは、磁界の変化によって電気抵抗が大きく変わるGMR(巨大磁気抵抗効果)の素子を使用するタイプ。... 一般的な電流センサーは磁気を効率的に集め、安定した...
次世代磁気抵抗メモリーの物質設計の加速が見込める。 ... スピン軌道トルク(SOT)方式の低消費電力の磁気抵抗メモリーの高温での性能改善に寄与し、IoT(モ...
けん引役は、スマートフォンや自動車向けが堅調なトンネル磁気抵抗素子(TMR)センサー。
東北大学の深見俊輔教授と五十嵐純太学術研究員(研究当時)、陣内佛霖助教(同)らは、使用条件に応じた磁気トンネル接合(MTJ)素子の設...
産業技術総合研究所の日比野有岐研究員、谷口知大研究チーム長は、低消費電力で高速の書き込みが可能な次世代の不揮発性メモリーである「磁気抵抗メモリー(MRAM)」向けの材料として、タングス...
スピン半導体を使い、これまでに人工知能(AI)向けや車載用、磁気抵抗メモリー(MRAM)を積んだLSIなどを開発。
磁気抵抗メモリー(MRAM)開発のスタートアップ、パワースピン(仙台市青葉区、福田悦生・遠藤哲郎共同代表取締役)は2025年をめどに米国や台湾など海...
SynRMは固定子の磁力と、モーター回転部分の鉄心の磁気抵抗の差から生じる磁極との相互作用で、トルク(回転力)を生み出す。
東北大学の水上成美教授と一ノ瀬智浩研究員(現産業技術総合研究所研究員)らは大きな磁気抵抗を示すコバルト・マンガン鉄合金を発見した。... 磁気抵抗メモリー(MRAM)や...
またトンネル磁気抵抗素子(TMR)センサーを25年3月期に23年3月期比で約2倍に増産し、センサー事業の成長ドライバーに位置付ける。
物質・材料研究機構(NIMS)のトーマス・シャイケNIMS特別研究員と介川裕章グループリーダーらは、631%の磁気抵抗変化比率を持つトンネル磁気抵抗(TMR&...
【京都】サンコールは電動車向けに、電流検出精度を高めた磁気式電流センサーを開発した。米スタートアップ、クロッカス・テクノロジー(カリフォルニア州)と共同で基幹部品となるトンネル磁気抵抗...
こうしたスピン流と電流の相互変換現象を利用すると、磁化反転を高効率化し次世代磁気抵抗メモリーなどにつながると期待される。
次世代磁気抵抗メモリー(MRAM)に用いる際に素子への書き込みを歪みでアシストできる可能性がある。... マンガン・スズを引っ張ったり圧縮したりと力をかけながら磁気電気特性を計測した。...
