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記事検索結果
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【広島】広島大学大学院の尾坂格教授ら、京都大学大学院の大北英生教授らのグループは、ポリマー半導体の電荷移動度を向上させる新たなパイ電子系骨格を開発した。同骨格「ジチエノナフトビスチアジアゾール(...
電子移動度が1ボルト秒当たり78平方センチメートルの酸化物TFTを開発した。酸化インジウムを用いると電子移動度は同140平方センチメートルと高速になるが、空気中の酸素や水分で劣化する課題があった。&#...
拡散とイオン伝導は一見別の現象だが1905年にアインシュタインは「ブラウン運動についての考察」から、拡散係数と移動度(イオン伝導度に相当)に単純な比例関係があることを示した。 ...
一方、有機物は元来絶縁体であるが、電子的性質の異なる2種分子間の電荷を移動(ドープ)させることによって、伝導性を獲得する。... これは、分子配列によって、伝導性(キャリア移動...
有機TFT高性能化 2024年は4年に1度のオリンピックがパリで開催される。... 従来の有機TFTは、駆動電圧が数十ボルトと高く、電荷の流れやすさの指標である移動度も、これまで主流...
電池や磁石、触媒など分野を超えて物質構造データを持ち寄り、人工知能(AI)技術で類似度マップを作る。... 参加者は、材料のX線回折(XRD)とX線光電子分光(...
ポーラロンが形成されると、電荷キャリアは安定化して動きにくくなり、移動度が低下する。だが、これまで実験による直接的なポーラロン形成は報告されておらず、ペンタセンのような高移動度の有機半導体でも確認され...
高いキャリア移動度のp型、n型有機半導体の薄膜単結晶と導電性カーボン、プロセス耐性と絶縁性を持つ高分子材料とを組み合わせ、有機トランジスタによる回路を作製した。
研究グループは、高いホール移動度の半導体特性を持つ有機材料のベンゾチアノベンゾチオフェン(BTBT)骨格に極性水素結合ネットワークを導入。
ロームの650ボルト耐圧GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)「GNP1150TCA―Z」が、デルタ電子の急速充電タイプACアダプター「C4 Duo」に採用された。
ヒ素化タンタルは電子移動度がシリコンの1000倍と高く、量子デバイスの材料候補になっている。 ... すると5対5と変わらない電子移動度だった。
さらにグラフェンのトランジスタを作製し、UVテープの転写膜により高い移動度が得られることも確認した。
FETで電力損失を低減するには、電荷の流れやすさを表す「移動度」が高いことが望まれる。しかし、従来のダイヤモンドFETは、ダイヤモンド本来の移動度の10分の1以下の移動度しか発揮できなかった。 ...
電子の移動度や有効質量、エネルギーバンドの特徴といった半導体の基本特性を維持しながら、スピン分裂を自発的に誘起し、その大きさを変調できれば、電気的特性と磁性を組み合わせた次世代のスピントロニクスやトポ...
横型MOSFETの最大ドレイン電流は1ミリメートル当たり300ミリアンペア以上で、炭化ケイ素に匹敵するチャネル移動度を達成した。
研究チームはインジウムリン系の高電子移動度トランジスタを使ったテラヘルツ波検出素子において、新たな検出原理「プラズモニック3次元整流効果」が発現することを発見。
東京大学の岡本敏宏准教授(現東京工業大学教授)、竹谷純一教授らは、高い電子移動度を持ち、大面積に塗布可能なn型有機半導体を開発した。... 既存のn型有機半導体の結晶構造を保ちつつ、従...
半導体に用いるシリコンはナノシート化すると、電子の移動度が低下して性能が劣化する。移動度の高い層状物質を使うことで性能の改善が見込める。
