記事検索結果

ルネサス、米パワー半導体買収 GaN技術取得（2024/1/12 総合４）

ルネサスエレクトロニクスは11日、次世代半導体である窒化ガリウム(GaN)を用いたパワー半導体を設計・製造する米トランスフォームを約3億3900万ドル(約4...

デンカ、アセチレン低炭素化で米新興と協業合成ゴム原料の新製法実証（2023/6/7 素材・建設・環境・エネルギー１）

デンカは合成ゴムなどの原料となるアセチレン製造の低炭素化を目指し、米トランスフォーム・マテリアルズ(フロリダ州、TM)と協業する。

富士通ゼネラル、GaN―FET搭載の小型パワーモジュール（2021/6/16 電機・電子部品・情報・通信１）

子会社の富士通ゼネラルエレクトロニクス(岩手県一関市)がGaNデバイスメーカー大手、米トランスフォームの高耐圧性GaN―FETチップを搭載したモジュールを開発した。

米トランスフォーム、車載向けGaN半導体試験に合格（2019/3/6 自動車）

【ビジネスワイヤ】半導体メーカーの米トランスフォームは、同社の第3世代JEDEC準拠高電圧GaN(窒化ガリウム)電界効果トランジスタ(FET)プラットフォーム「TP65...

米トランスフォームのGaNFET、TDKラムダが採用（2019/1/21 電機・電子部品・情報・通信）

米トランスフォームは同社の高電圧窒化ガリウム(GaN)パワー電界効果トランジスタ(FET)がTDKラムダに採用されたと発表した。

台湾デルタ電子、米トランスフォームの高電圧GaNFET採用（2018/10/5 電機・電子部品・情報・通信２）

米トランスフォームは同社の高電圧GaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)が、電源製品の台湾企業デルタ電子に採用されたと発表した。

米トランスフォーム、1500万ドルの投資確保（2017/12/7 機械・ロボット・航空機２）

米トランスフォームは安川電機から1500万ドルの投資を確保した。トランスフォームの高電圧(HV)GaN(窒化ガリウム)製品は、安川電機のサーボモーター「Σ―7F(...

次世代パワー半導体に脚光−世界市場拡大、20年に12倍（2015/4/21）

14年11月には半導体・電子部品商社のUKCホールディングスが、GaNパワー半導体業界で先行する米トランスフォーム(カリフォルニア州)に出資。今年1月にはトランスフォームが、富士通セミ...

米トランスフォームと富士通セミコンダクターは27日、富士通セミコンの福島県会津若松市の生産子会社で、ウエハーに窒化ガリウム(GaN)を採用した電源用パワー半導体の量産を始めたと発表した...

米トランスフォーム(カリフォルニア州ゴリータ)は、窒化ガリウム(GaN)製の次世代パワー半導体の評価キットを開発した。... トランスフォームは米パワー半導体ベンチャー...