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記事検索結果
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【名古屋】産業技術総合研究所中部センターは、人工知能(AI)を活用し、窒化ケイ素の走査型電子顕微鏡(SEM)画像から破壊靱(じん)性など特性値を予測でき...
黒色クロムメッキの膜の剥離を防ぐ「KBM処理」や静電気を除電して絶縁破壊を防止する「コスモコート」、耐食性が高い硬質アルマイトの「プレマイト」などを手がける。
車体内部で絶縁体として採用すれば、ケーブルを配線する場合と比べて軽く小さくまとめられる。 ... 加熱収縮後もしなやかさを保ち、電気絶縁性や耐熱性に優れたシリコーンを被覆しやすい。絶...
【東大阪】シミズ(大阪府東大阪市、清水治社長)は、140度Cで焼き付けできる低温硬化絶縁電着塗料を開発した。... 絶縁破壊電圧は60キロボルト毎ミリメートル。... 絶縁電着塗料は複...
これによって絶縁破壊後の電気伝導パスに加え、絶縁破壊直前のリーク電流の増加領域を表し、キャパシタ内の広い範囲で抵抗が変化していることを解明した。 二酸化ハフニウム系強誘電体は保持電界...
1ミリメートル当たり40キロボルトの絶縁破壊強度を持ち、従来品より被覆層を薄くしても性能を確保できる。... 高圧ケーブル向けシリコーンゴムの絶縁破壊強度を同社従来品(1ミリメートル当たり26...
ダイヤモンドの炭素をケイ素とつなげて絶縁層を形成した。... 【用語】ダイヤモンド半導体=絶縁破壊電界強度や熱伝導性、キャリア移動度などの物性値が優れ、究極の半導体材料とされる。
絶縁破壊電圧は1700ボルトと大きく、500度Cの電流値は100万倍のオンオフ比を実現した。... ここで微量のシリコンを添加すると絶縁体の窒化アルミが半導体になる。... トランジスタの絶縁破壊電圧...
SiCは原子間の結合力が強く、絶縁破壊や高温に強い半導体材料で、高性能パワーデバイスの材料として期待されている。
炭化ケイ素(SiC)は絶縁破壊電界強度がシリコン(Si)の10倍、バンドギャップが同3倍などの特性を持ち、Siの限界を超えるパワーデバイス用材料として期待される。......
長時間安定/短距離で絶縁 「地上の太陽」核融合発電では、磁力線のカゴにプラズマを閉じ込めるが、それだけではまだ太陽にはなれない。... 特に、100万ボルトの絶縁には大気中...
絶縁破壊を検知する部分放電検出センサーや、電力機器の負荷状況を監視する複合環境センサーなどを活用する。
粒子を摩擦帯電させた状態で衝突させると、板の表面でプラズマが発生して粒子が形成され、目標基板の表面に着地して絶縁破壊電界強度の高い薄膜を高速で成膜すると考えられる。絶縁破壊電界強度20メガボルト&#x...
“高電圧”を出力して絶縁物に流れる電流を計測することで絶縁破壊の有無を確認したり、絶縁抵抗値が基準以上かどうかを確認したりするため、この二つは同じ筐体に入れやすい。... 絶縁物に電圧を印加する際、経...
高いバンドギャップや絶縁破壊電界が大きいなどの特性から、シリコンや炭化ケイ素(SiC)に代わる低損失の次世代パワー半導体材料として期待されているという。
一般的にフィルムコンデンサーには、局所的に絶縁破壊しても周辺の金属電極の蒸発によって瞬時に自己回復する機能を持つ製品がある。
ダイヤモンドは、パワーデバイス材料の中で最も高い絶縁破壊電界とキャリア移動度、熱伝導率を持つ究極のパワーデバイス材料だ。
これに対して絶縁性で柔らかいシリコーンゴム樹脂に、熱伝導率の高い無機粒子を充填材のフィラーとして混合した材料などが、機器の熱制御デバイスに活用される。... 配向性を高めるには高い電場が必要だが、絶縁...
