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ローム、TSMCと提携車載用GaNデバイス開発（2024/12/11 電機・電子部品・情報・通信１）

【京都】ロームは10日、台湾積体電路製造(TSMC)と車載用窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの開発と量産に関する戦略的パートナーシップを結んだと発表した。ロームのG...

東芝D&S、電力損失半減のGaNパワーデバイスサンプル提供開始（2022/6/1 総合１）

東芝デバイス&ストレージ(川崎市幸区、佐藤裕之社長)は、窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの開発サンプルの提供を始めた。... GaNを使...

深層断面/21年度特許出願技術調査日本巻き返し必要（2022/4/28 深層断面）

GaNパワーデバイスを除き、日本の存在感は薄く巻き返しが必要だ。... GaNパワーデバイスの日本国籍の発明数は全体の43・9%を占め最大。GaNパワーデバイスは横型と縦型があり、縦型を実現す...

窒化ガリでEV駆動名大、車載インバーター開発（2019/10/24 科学技術・大学）

【名古屋】名古屋大学の未来材料・システム研究所の天野浩教授らは、窒化ガリウム(GaN)のパワーデバイスを使用した車載トラクションインバーターを開発し、世界で初めて電気自動車(E...

GaNデバイス実用化に期待名大が新製造技術、高品質化（2019/5/23 科学技術・大学）

イオン注入法は一般的な半導体の製造工程で使われており、GaNデバイスの実用化進展が期待される。 ... 従来手法ではGaNにMgイオンを打ち込んだ後、保護膜をGaNにかぶせて1気圧下...

サムコ、直径200mm対応汎用ICP装置 21年ぶり刷新（2018/12/5 電機・電子部品・情報・通信１）

汎用性や拡張性を高め、従来機で難しかった半導体レーザーや、窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの研究開発、少量生産用途などにも活用できる。

窒化ガリウム結晶の欠陥、レーザー光で可視化名大（2018/3/23 科学技術・大学）

GaN結晶断面にレーザー光を複数の高さで平面スキャンした。... GaN基板上で結晶成長する薄膜中での欠陥の3次元分布が分かる。... ほかの測定分析手法と組み合わせ、デバイス特性に致命的な影響を与え...

GaN組み込んだ実験用回路、ヘッドスプリングが6月に製品化（2017/5/23 電機・電子部品・情報・通信２）

同ブロックを組み込むだけでGaNパワーデバイスを試用でき、GaNを搭載した機器の開発スピードを向上できる。... ヘッドスプリングは設計の難しい炭化ケイ素(SiC)を用いた次世代パワー...

物材機構と名大、GaNパワーデバイスの共同ラボ両機関に設置（2016/11/23 科学技術・大学）

物質・材料研究機構と名古屋大学は22日、窒化ガリウム(GaN)を使う次世代パワーデバイスの研究開発を加速するため、両機関にそれぞれ共同ラボを設置すると発表した。実用化段階を迎えた炭化ケ...

パナソニック、独インフィニオンにGaNトランジスタ技術を供与（2015/3/12）

両社がそれぞれに耐電圧600ボルトのGaNパワーデバイスを供給することでユーザーの調達利便性を高める。2023年に8億ドルに成長するとされる同デバイス市場で主流を取る狙い。直流交流...

サムコ、米製MOCVD装置を導入（2014/12/16）

サムコは販売代理店契約を結んだ米ヴァレンス・プロセス・イクイップメント(ニュージャージー州)の、最新型の有機金属気相成長(MOCVD)装置「GaN―550」を本社開発棟...

カギ握る次世代素材技術、省エネ・高性能を追求（2012/1/4）

特にSiCウエハーの大口径化が、炭化ケイ素(SiC)を用いたデバイスの開発を後押ししている。... GaNパワーデバイスはシリコン基板上に化学気相成長(CVD)と呼ばれ...

パナソニック、GaNパワーデバイス評価ツールを統合（2011/12/27）

パナソニックは窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスのノイズや熱特性などを、統合的にシミュレーションできる設計ツールを開発した。回路設計や試作、改良の回数を減らし、デバイスの開発期間を短...

【低コスト実現】 GaNパワーデバイスはシリコン基板上に化学気相成長(CVD)と呼ばれる手法でGaN薄膜をつくる。... すでに米インターナショナル・レクティファイアーなどはG...

企業−古河電工(7)環境軸に研究開発（2008/10/23）

現在進行中の案件には、極微細発泡ポリマーや窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス、高強度銅合金などがある。