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富士電機、風力向けIGBTモジュール 175度C耐熱 （2019/8/2 電機・電子部品・情報・通信１）
富士電機は大規模風力発電向けに、連続動作時の最高保証温度を従来比16・7%増の175度Cまで向上した1700ボルト耐圧のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュール&...
パワー半導体『新たな地平』(1)三菱電機−高付加価値路線で先陣 （2015/1/7）
高耐圧のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュールでは、独インフィニオン・テクノロジーズと世界シェア首位を争う。今後の成長に向けIGBTモジュールの一層の高機能化に取り組み...
東芝、汎用インバーター向けパワー半導体モジュール事業に再参入 （2014/7/22）
東芝はエアコンやエレベーターに搭載する汎用インバーター向けパワー半導体モジュール(複合部品)事業に再参入する。... まず、パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジ...
日立、小型化した鉄道向けパワーモジュール−インバーター実装容易 （2013/5/15）
開発したのはシリコン―IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュールで、架線から供給される直流電圧をモーター駆動用の交流電圧に変換するためのインバーターなどに搭載する。 ...
