確率ビットは磁気トンネル接合素子(MTJ)の熱揺らぎを利用して乱数を生成する。... 乱数生成にMTJの物理現象を用いるためエネルギー効率が優れる。

東北大学の深見俊輔教授と五十嵐純太学術研究員(研究当時)、陣内佛霖助教(同)らは、使用条件に応じた磁気トンネル接合(MTJ)素子の設...

日比野研究員らはアモルファス新合金からなる微細配線上に、記憶素子(MTJ)を置いたスピン軌道トルク型(SOT)MRAM素子を試作した。

鉄系合金などに次ぐ第三のMTJ候補物質になる。... そのためMTJには向かなかった。 ... MTJは不揮発性メモリーの構成要素。

強磁性層と絶縁層を積層してスピンの向きとしてデータを記録する6重界面界面垂直型強磁性MTJを開発した。 工業化されているMTJは強磁性層と絶縁層の界面が二つ。 .....

直径5ナノメートル以下のMTJ素子で3・5ナノ秒の高速書き込みを実現した。MTJの記録層になるコバルト鉄ボロンに酸化マグネシウムの薄い層を何層も挿入する。... 実際に直径2ナノメートルのMTJ素子が...

実際に磁気トンネル接合(MTJ)素子を作製して400度Cで熱処理したところ、熱処理温度を250度Cに抑えた場合の2倍以上のトンネル磁気抵抗効果が得られた。

接合直径18ナノメートルの磁気トンネル接合(MTJ)素子で書き換え耐性や高速書き込みなどを達成した。... MTJは小さくすると熱安定性が低下し、磁化方向が乱れてしまう。そこでMTJに...

薄い金属の磁石層(記憶層)を持つ磁気トンネル接合素子(MTJ素子)にナノ秒(ナノは10億分の1)程度の時間電圧パルスをかけると、磁化反転が起こる。

従来、ハードディスク駆動装置(HDD)の磁気ヘッドなどに使われてきた磁気トンネル接合(MTJ)素子をひずみ検知素子として応用する。... 今回、MTJ素子の磁性体層に、...

不揮発性メモリー素子(MTJ)をSRAMに組み込んだ、不揮発性SRAMのチップを試作した。

これらは、基本構造となる磁気トンネル接合(MTJ)素子に情報を記録する際、磁性膜に対して水平に磁化させる「面内磁化方式」を使う。 ... 【半導体業界と連携】 ...

情報の記録に必要な磁気トンネル接合(MTJ)素子の出力を従来の約2倍の200ミリボルトに高めた。... MRAMはMTJ素子内部の二つの磁性の向きを、電圧をかけて変化させることで情報を...

薄い金属磁石層(記録層)を持つ磁気トンネル接合素子(MTJ素子)にナノ秒程度(ナノは10億分の1)の短い時間電圧パルスをかけると、磁化反転を誘起できる。

超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、スピン(磁気的性質)注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)のメモリーのデータを蓄える磁気トンネル接合&#...

今回の新技術をもとに、回路線幅90ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)回路と三端子磁気トンネル接合(MTJ)素子を組み...

LSIの銅配線層にMTJ素子を埋め込むことで、近接した銅配線を流れる電流をセンシングすることができた。... MTJ素子は2層の強磁性体とそれに挟まれたトンネル絶縁膜によって構成された磁性変化デバイス...

東北大学はNECの試作協力で、スピン注入磁化反転型磁気トンネル接合(MTJ)素子と、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)技術を組み合わせた論理混載用1メガ不揮発性メモリー...

データを記憶する磁気トンネル接合(MTJ)を新構造にすることで、書き換え電流を増やさずに、従来比300倍以上のデータ保持時間を実現した。... 今回研究ではMTJの構造を数ナノメートル...

MRAMのメモリー部である磁気トンネル接合(MTJ)素子のトンネル絶縁膜(酸化マグネシウム層)の形成方法を工夫することで実現した。 具体的にはMTJは現在、同絶...