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産総研、ＭＲＡＭ書き込み「電圧方式」の安定動作を実証−エラー率実用水準へ
(2015/12/11 05:00)
産業技術総合研究所は１０日、不揮発性メモリー（ＭＲＡＭ）の新しい書き込み手法である「電圧書き込み方式」の安定動作を実証したと発表した。さらに書き込みエラー率の評...
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(2015/12/11 05:00)
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