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窒化ガリウムに対し、新開発した49度Cで液体となる有機ユーロピウムを添加した材料を、有機金属気相エピタキシャル法により薄膜化した。この素子を利用して赤色発光ダイオード(LED)の製造や...

窒化ガリウムを採用することで、効率を従来製品より10ポイント高い30%に改善したほか、出力電力も50ワットに高めた。... 電力増幅器を構成する高周波デバイスの数を半分にできるため、衛星通信地...

日立電線は3日、耐圧性能を3000ボルト以上に高めた窒化ガリウム(GaN)縦型ダイオードを試作したと発表した。

LED素子は基板上に窒化ガリウムの結晶を成長させて製造する。... LED開発では赤崎勇名城大学教授や中村修二米カリフォルニア大学教授が注目されるが、実用化には2社が大きく貢献したとして技術賞に選定し...

シリコン基板上に窒化ガリウムを結晶成長させる量産方法を世界で初めて確立した。

電力を制御するパワー半導体は窒化ガリウム(GaN)も含めて省電力効果のある次世代製品の需要が高まってくるだろう」 ―事業化は。 ... 電子機器の電...

三菱電機は20日、2・14ギガヘルツ帯(ギガは10億)の携帯電話の基地局向けに、窒化ガリウム半導体による増幅器を開発したと発表した。シリコン基板上に窒化ガリなどを形成した構造で、従来の...

富士通研究所(川崎市中原区、富田達夫社長、044・754・2613)は、世界初の窒化ガリウムによる送受信ワンチップICを開発した。窒化ガリの高電子移動度トランジスタ(HEMT&...

ただ、現状では価格面で他社製品との差別化が難しいと判断。... さらに発光ダイオード(LED)素子用の窒化ガリウム(GaN)ウエハーや、スマートフォン(多機能携...

冷却効率の高い独自ウエハー吸着技術により、窒化ガリウム(GaN)薄膜を高速加工できる。

パナソニックは2012年度下期に北陸工場(富山県魚津市)で窒化ガリウム(GaN)製の次世代パワー(電力制御用)半導体の量産を始める。... 当初は11年...

基板同士の張り合わせや窒化アルミ基板上に窒化ガリウムの結晶を育てるなどの用途が広がる。窒化アルミは結晶粒界によって硬さが異なり、削れるスピードが変わる。... 窒化アルミは熱伝導率が高く、パワーデバイ...

【名古屋】日本ガイシは25日、発光ダイオード(LED)素子に使う直径4インチの窒化ガリウム(GaN)ウエハー(写真右)を開発したと発表した。... 同社...

三菱電機は25日、14ギガヘルツ帯で100ワットの出力が得られる窒化ガリウム系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)増幅器を開発したと発表した。... 衛星通信基地局向けの電力増幅器の...

NTTは11日、発光ダイオード(LED)などに使われている窒化ガリウム系半導体の薄膜素子を、結晶成長用の基板から剥がして簡単に作製するプロセスを世界で初めて開発したと発表した。... ...

社名は「アルミニウム窒化ガリウム(AlGaN)を大文字にして、そのまま名付けた」と人羅(ひとら)俊実社長。

ロボットを病院などにレンタルし、数や設置場所が多様化すればサービスの可能性が広がる。 ... 発光ダイオード(LED)の性能向上のカギを握るGaN(窒化ガリウ...

新方式により、駆動回路を10分の1以下に小型化できる。2015年の実用化を目指す。 ... パナソニックは窒化ガリウム(GaN)インバーターICの実現を目指す。...

ボンディングワイヤは金価格の高騰を背景に現在主流の金線から銅線などへの置き換えが進むが、銅線の量産化を進めても投資採算が合わないと判断した。 ... 住友金属鉱山は白色・青色発光ダイ...

住友電気工業は、2013年度にも薄膜窒化ガリウム(GaN)基板の量産に乗り出す。... 高価なGaN基板の低価格化を見込む。... 大口径化によるデバイスの量産性向上と合わせてGaN半...

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