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記事検索結果
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2倍の高調波を精度良く窒化ガリウムHEMTに反射することで効率を高めた。窒化ガリウムHEMTを使えば増幅器の高出力化と小型化が可能になる。... 同社は昨年から100ワット、効率60%の窒化ガ...
シリコン基板と窒化ガリウム膜の間に、窒化アルミと窒化ガリウムを交互に積層したバッファー層を設けて膜厚を厚くした。... 同グループはシリコン基板上にガス化したアンモニアやトリメチルガリウムを用いて、窒...
富士通研究所(川崎市中原区、富田達夫社長、044・754・2613)は、6ギガ―18ギガヘルツ(ギガは10億分の1)の広い周波数帯域に対応する窒化ガリウム製の増幅器を搭...
同社は、すでに、窒化ガリウム(GaN)を使った半導体を13年に量産する意向を示している。... 次世代半導体で、GaN、SiCの二つの素材を事業化することになるが、高耐圧品をGaN、低...
北京大との共同研究開始を記念し、同大学の窒化物半導体センターとの共催でテーマは「窒化物半導体と材料工学」。窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)の加工技術やデバイ...
パウデック(栃木県小山市、河合弘治社長、0285・22・9986)は英シェフィールド大学と共同で低損失で1100ボルト以上の高耐圧性能を持つ窒化ガリウム(GaN)パワー...
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)など省エネ効果が高い次世代の半導体で、垂直統合モデルを目指す企業が現れはじめた。... 窒化ガリウム基板大手の住友電気工業は...
物質・材料研究機構は、従来比約6倍の感度を持つインジウム窒化ガリウム製の紫外線センサーを開発した。... この電極とインジウム窒化ガリウムとの間にスパッタリングで作製した5ナノメートルのフッ化カルシウ...
日本エクシード(茨城県常総市、橋本秀夫社長、0297・27・1531)は、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの硬い半導体材料を研磨するため...
生産設備の効率化を進め、2階のラインで生産していた製品を1階に全て集約。... 取得後、設備を改造し、ガリウム・ヒ素や窒化ガリウムを材料とした半導体デバイス開発を手がける。
独自開発した窒化ガリウム(GaN)パワー半導体に期待する。 GaNは主流のシリコンに比べて耐電圧が高いなど高機能で、電気機器の低省電力化に役立つが、価格が高いことが課題。これを...
パナソニックは7日、耐圧性能を3000ボルトまで高めた窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタをシリコン基板上で実現したと発表した。... 同社シリコン基板で、高耐圧化を妨げるメカニズ...
素子のチャンネル部分にインジウムガリウム酸化亜鉛を使い、保護膜としてポリマーを被膜する。... 今後、電源用途で求められる600ボルト程度まで高耐圧化し、IT機器などに搭載して実用化する。 &...
住友電気工業は1日、SOI基板の最大手メーカー仏ソイテック(パリ市)と、低コスト窒化ガリウム(GaN)基板の開発で協業を始めると発表した。... 1枚の基板から複数枚を...
パウデック(栃木県小山市、河合弘治社長、0285・22・9986)はサファイア基板の分離技術を使った窒化ガリウム(GaN)パワーダイオードを開発したと発表した。... ...
【広島】トーヨーエイテック(広島市南区、龍田康登社長、082・252・5230)は25日、サファイアや炭化ケイ素、窒化ガリウムなどの難削材に対応するダイヤモンドワイヤカッティングマシン...
住友電気工業は直径2インチで「半極性」「非極性」と呼ばれるタイプの窒化ガリウム(GaN)基板の量産技術を完成した。... これが半導体レーザーの長波長化の妨げになっていた。... 大電...
住友電気工業は直径6インチの窒化ガリウム(GaN)基板(写真)を開発した。... 基板の大型化には均一に結晶を成長させる技術が必要。... GaN基板に窒化物半導体で発...
酒井教授が徳島大学の工学部長だった川上博教授(現徳島大理事)と徳島NBC事務局を訪れ、当時の村本事務局長に窒化ガリウム半導体のビジネス化について相談したのが、そもそもの設立のきっかけに...
