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記事検索結果
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内部は絶縁体だが表面に電気を通す「トポロジカル絶縁体」と、MRAMの記憶素子になる磁気トンネル接合を集積することに成功。... 実用化が始まっているスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRA...
産業技術総合研究所新原理コンピューティング研究センター不揮発メモリチームの山本竜也研究員、野崎隆行研究チーム長、湯浅新治研究センター長らは磁気抵抗メモリー(MRAM)の磁気安定性を改善...
1ケタナノメートル世代(ナノは10億分の1)の集積回路に対応した磁気抵抗メモリー(MRAM)用記憶素子を開発した。
東北大学の永沼博准教授と遠藤哲郎教授らの研究グループは、1ケタナノメートル(ナノは10億分の1)世代の集積回路に対応したスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)...
同社ではCMOSイメージセンサーの下にロジック回路を、その下にMRAMを積層する構造を実現した。MRAMのコバルト鉄ボロンの垂直磁気トンネル接合(pMTJ)を工夫した。 ...
産業技術総合研究所新原理コンピューティング研究センターの湯浅新治研究センター長、薬師寺啓研究チーム長、高木秀樹総括研究主幹らの研究チームは、磁気抵抗メモリー(MRAM...
この発電素子を磁気抵抗メモリー(MRAM)のように並べると、Wi―Fiとして飛び交う通信用電波で発電できると期待される。 ... 磁気トンネル接合素子はMRAMとして...
磁気抵抗メモリー(MRAM)を開発する米国や韓国のメーカーに対抗。「次世代のMRAMよりも10―100倍速いメモリーの実現につながる」と研究にまい進する。
TMR素子は次世代メモリー“磁気抵抗メモリー(MRAM)”としての応用にも期待が高まっている。... しかしMRAM現行品の記録容量は小さく、身近なモバイル製品には普及していない。
デバイス創成・高性能化 【MRAM開発】 最近、垂直磁化型磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)が念願の販売開始となった。垂直磁化型MRAMは、低...
【性能・コスト凌駕】 SCMの候補としては、従来のReRAM(抵抗変化メモリー)、PRAM(相変化メモリー)や、MRAM(磁気抵抗メモリー&#...
人工知能(AI)のハードウエアや、電源を切っても情報が保持できる磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)などの低消費電力化につながる。
アドバンテストは、2020年度をめどに次世代の半導体メモリー「STT―MRAM」向け検査装置を市場投入する。... 研究グループは、STT―MRAMの不良を検知できる半導体検査装置(写真...
原田PMが、超ビッグデータ処理技術の研究に2億9000万円、佐橋政司PMが新規不揮発メモリー技術(MRAM)による集積回路の高速化などの研究に1億4000万円の増額を要望した。 ...
「東北大学の国際集積エレクトロニクス研究開発センターとは、次世代メモリーとして注目されている『MRAM』の製造装置技術の確立を目指している。
東京エレクトロンが持つMRAM向け成膜装置と、メモリーの低消費電力化につながるSTTの技術を組み合わせる。... MRAMは、一般的なメモリーに比べて書き込み速度が速く、劣化しにくいといった利点がある...
SKとはすでに連携している次世代メモリーのMRAMや、次世代製造技術の「ナノインプリント」以外の分野で協業関係を深める方向を探っていくことになる。
産業技術総合研究所スピントロニクス研究センター電圧スピントロニクスチームの塩田陽一研究員(現・京都大学助教)、野崎隆行研究チーム長らは、電圧書き込み方式の磁気メモリー(電圧トル...
このプロセスで作製したMRAMの動作特性が劣化しないことを実証した。単結晶薄膜を使う高性能な3次元MRAM製造の可能性を開く。... MRAMの大容量化と高性能化につながる。
