東京エレク、ＭＲＡＭ開発で米社協業 40―50％小型化へ

東京エレクトロンと米スピン・トランスファー・テクノロジーズ（ＳＴＴ）は、電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリー「ＭＲＡＭ」の開発に向けた協業契約を結んだ。東京エレクトロンが持つＭＲＡＭ向け成膜装置と、メモリーの低消費電力化につながるＳＴＴの技術を組み合わせる。既存製品よりも４０―５０％小型化したメモリーの開発につなげる。

ＭＲＡＭは、一般的なメモリーに比べて書き込み速度が速く、劣化しにくいといった利点がある。そのため、従来のメモリーを代替する次世代のメモリーとして期待されている。

両社は今後、メモリーの低消費電力化に関する実証実験などを行う。また揮発性メモリー「ＳＲＡＭ」が持つ課題の克服も目指す。ＳＲＡＭはＭＲＡＭに比べてコストや消費電力が大きく、揮発性があるといった課題がある。

ＳＴＴはメモリー技術を開発するスタートアップ企業。米国の投資会社であるアライド・マインズと、米ニューヨーク大学が２０１１年に設立した。