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記事検索結果
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英国ケンブリッジ大学(ケンブリッジ市)のケンブリッジ窒化ガリウム(GaN)センターは、電気料金を大幅に節約するGaN発光ダイオード(LED)による節電ラ...
古河機械金属は09年度中に窒化ガリウム(GaN)基板の2インチ品を量産する。品質や量産技術にめどが立ち、量産化に向けた人員体制が構築できたため。... 今年3月に小山工場内に研究棟を新...
古河機械金属は栃木県小山市内に建設していた窒化ガリウム基板研究開発の新棟が完成した。新棟には素材総合研究所(茨城県つくば市)と古河ケミカルズ(大阪市西淀川区)が進める窒...
化合物半導体のインジウム・ヒ素で直径約20ナノメートル、高さ5ナノメートルの量子ドットを作製し、バンドを形成する窒化ガリウムヒ素の中間層に埋め込んだ。 ... 量産化を見通せば、オール・シリコ...
三菱化学は米クリー社(ノースカロライナ州)から白色発光ダイオード(LED)の部材となる窒化ガリウム(GaN)基板の製法・加工特許の独占的実施権を取得した...
パワーデバイスへの適用に必要な1センチメートル角級の大電流が流せる素子の実用化を目指す。 ... パワーデバイスは現在、従来のシリコン半導体のほかに、窒化ガリウムや炭化ケイ素を使った材料開発が...
サンケン電気が窒化ガリウム(GaN)を用いたパワーデバイスの開発を推進している。... 高効率化と同時に大幅に省スペース化を図っている。 競争相手となる炭化ケイ素も低コスト化が...
パナソニックは16日、窒化ガリウム(GaN)を用いて高耐圧と低オン抵抗を両立したダイオードを開発した。... 2010―2011年の商品化を目指す。 ... パナソニックは今回...
【京都】サムコは発光ダイオード(LED)生産用途向けの窒化ガリウム(GaN)ウエハー専用ドライエッチング装置「RIE―330iP」を25日発売する。
JSTが06年度から進める「競争的資金」を活用した「産学共同シーズイノベーション化事業」のことだ。 ... その委託開発で、窒化ガリウム系青色発光ダイオード(LED)の製造技術...
富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、5ギガ―12ギガヘルツ(ギガは10...
研究開発を効率化して、新製品開発の速度を速める取り組みが必要だ。 ... 現在進行中の案件には、極微細発泡ポリマーや窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス、高強度銅合金などがある...
富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、4ギガ―8ギガヘルツ(C帯、ギガは...
新構造の窒化ガリウムHEMTは、ゲート電極に触れる約2ナノメートル(ナノは10億分の1)のn型窒化ガリウム膜上に新たに窒化アルミニウムの層を設け、流れる電子量を増やして出力の向上につな...
JFEミネラル(東京都港区、田中久社長、03・4455・2210)は、窒化アルミニウム単結晶(写真)の成長技術を完成した。... LEDメーカーや機器メーカーでの試験運...
ハード面では空調機器のモーター駆動や無停電電源装置などの省電力化に数多くのハイテク技術とローテク技術を融合。... そのインバーターに使われる半導体材料のシリコンに代わって、炭化ケイ素(SiC...
三菱電機は、C帯とX帯の周波数で業界最高の電力付加効率を達成した窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ増幅器を開発した。... 移動体通信の基地局用増幅器に適用、レーダーや衛星通信用送信機の省エネルギー...
サンケン電気は3日、窒化ガリウム結晶をシリコン基板上に成長させる技術などを使い、大幅な低損失化や高耐圧化を実現した電界効果トランジスタ(FET、写真左)とショットキーバリアダイオード&...
松下電器産業は18日、周波数10ギガ―30ギガヘルツ(ギガは10億)の準ミリ波帯無線通信用に、窒化ガリウム(GaN)ICで世界最高の信号増幅率22デシベルを達成したと発...
