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記事検索結果
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1000度―2000度Cの超高温処理が必要となるSiCの材料特性に合わせ、約35億円を投じ高温イオン注入装置や高温アニール装置などを導入。
【金沢】金沢工業大学の堀邊英夫教授と明電舎の共同研究グループは、半導体基板のエッチングやイオン注入時に基板の保護膜として使われるレジストを、高濃度のオゾンガスを使って高速で除去する技術を開発した。.....
次世代半導体開発では回路形成までの各製造工程で、酸化膜の塗布量や露光方式、イオン注入量の調整など、一つひとつ改良を積み重ねなければならない。
また電極に作るシリサイド(シリコンと金属の化合物)にアルミニウムをnMOSのみ選択的に注入し、さらに効果を高めた。 ... 既存プロセスに熱処理とイオン注入の2工程を加えるだけ...
【京都】日新イオン機器(京都市南区、長井宣夫社長、075・922・4611)は、イオンの集合体(クラスターイオン)を利用するイオン注入装置「クラリス=写真」を開...
高周波スパッタリング法やイオン注入法など高価な設備を使用する従来手法と異なり、製造コストを大幅に抑えられるほか、低温で製造することができるため、製造に使用するエネルギーも節約できる。
従来の電極材料にイオン注入で別の元素を打ち込んで構造を変化させ、シリコン基板との界面で起こる接触抵抗を低減する。... 今回、この熱処理前にゲルマニウムイオンを注入する工程を挟み、ニッケルシリサイドを...
イオン工学研究所(大阪府枚方市、生西裕之社長、072・859・6611)は4日、台湾のマテリアルズ・アナリシス・テクノロジーの日本法人である日本マーテック(大阪市北区)...
住重とアクセリスは83年に共同出資で、半導体製造装置のイオン注入装置の製造・販売会社「SEN―SHI・アクセリスカンパニー」(SEN)を設立するなど提携関係にある。
【京都】栗田製作所(京都府宇治田原町、栗田好雄社長、0774・88・4811)は、同社従来品の体積比で約4倍の加工対象物(ワーク)にダイヤモンドライクカーボン(...
