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記事検索結果
104件中、5ページ目 81〜100件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.003秒)
富士通研究所とトロント大学は、次世代不揮発性メモリーとして期待されるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM)で課題だった、誤って書き込みが発生しない読み出し方式を世界で初めて開発し...
開発したのは、電流で生じる「スピントルク磁化反転」で情報を書き込むスピンRAMと呼ばれる新方式のMRAM技術。... 今後は、書き込み電流を減らせる低電力の垂直磁化膜をTMR素子に適用、大容量MRAM...
メモリーを構成する薄膜の欠陥に電荷を注入してデータを書き込むMONOS型のほか、同様の原理を導入するMRAMやRRAMなど次世代メモリー開発の指針となる。
MRAM(磁気抵抗メモリー)やReRM(抵抗記憶素子)も研究しており、すべてを並行して開発しなければならない」 ―システムLSIの分社と業界再編は。
こうした中、注目を集めるのが相変化メモリー(PRAM)や磁気抵抗メモリー(MRAM)。... 一方、MRAMは、ハードディスク駆動装置と同様に磁気によりデータを保持する...
高速で低消費電力の不揮発性磁気メモリー(MRAM)への応用に加え、メモリーと演算機能を一体化した不揮発性集積回路の実用化に道を開く。... MRAMの実用化が進む一方で、不揮発性集積回...
また、次世代メモリーの磁気抵抗型メモリー(MRAM)にもターゲット材が使われる。日鉱金属はMRAM向けターゲット材について「半導体だけでなく磁性材の知識やノウハウが必要。... ターゲ...
NECとNECエレクトロニクスは、磁性体に対して垂直な磁力を持つ垂直磁化を使う新しい書き込み方式で、システムLSIの組み込みに適した高速な不揮発性磁気メモリー(MRAM)を開発した。....
素子の絶縁膜特性を評 価して成膜技術に生かし、実用上必要な10年の寿命を保証する次世代MRAMの開発につなげる。... 開発技術は次世代「スピン注入磁化反転型」MRAM向けの技術。... MR...
記憶素子に磁性体を用いるMRAMは、半導体メーカー各社が次世代メモリーの一つとして有力視している。 ... ルネサスは既に同130ナノメートルプロセスを採用したMRAMのサンプル出荷を開始した...
世界最大容量で最速のMRAMで、チップ面積を従来と同等に小型化した。... MRAMは高速で、電源を切ってもデータを保持する不揮発性、書き換え耐性が無限などの特徴を併せ持つ。メモリー部が全MRAMのL...
また次世代メモリーとされる磁気抵抗メモリー(MRAM)や大容量ハードディスクのヘッドを高磁場下で製造する技術への応用、汚染物質を磁気で分離する磁気分離マグネットなどさまざまな用途開発を...
富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は、次世代の「スピン注入磁化反転」方式を使った不揮発性磁気メモリー(MRAM)実現に向けた新技術を開...
NECは世界最速の500メガヘルツ(メガは100万)で動作する次世代の「不揮発性磁気メモリー(MRAM=用語参照)」を開発した。... 加えて今回の超高速メモリ...
ルネサスでは既に回路線幅130ナノメートルプロセスを採用したMRAMのサンプル出荷を開始。... サンプル出荷を始めるMRAMは「電流磁場データ書き込み方式」技術を採用したもの。... 東芝はNAND...
東芝はSiC素子のほか、立体構造トランジスタのひずみ印加技術、大容量の磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)技術などを展示した。
読み出し/書き換え時間は10ナノ秒(ナノは10億分の1)で、高速動作が得意の磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)と同水準という。
(安久井建市) NECグループは、NEC中央研究所とNECエレクトロニクスが共同でMRAMの実用化に向けた研究開発を進める。... このため、次世代メモリーとしてMRAMの研究...
