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富士通研など、スピン注入型ＭＲＡＭの誤書き込み防ぐ読み出し方式を開発
(2010/2/10 05:00)
富士通研究所とトロント大学は、次世代不揮発性メモリーとして期待されるスピン注入型不揮発性磁気メモリー...
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(2010/2/10 05:00)
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