東芝メモリ、96層３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー 18年量産開始

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東芝の半導体メモリー子会社、東芝メモリは２８日、記憶素子を９６層積み重ねた３次元（３Ｄ）構造のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを開発したと発表した。

容量は３２ギガバイト（ギガは１０億）。単位面積当たりのメモリー容量は６４層品に比べて約１・４倍になる。２０１７年後半にもサンプル出荷をはじめ、１８年の量産開始を計画する。

９６層品の量産計画を公表するのは、東芝が初めて。データセンターやパソコン向けのソリッド・ステート・ドライブ（ＳＳＤ）、スマートフォン向けなどに提案する。

６４層品を生産している四日市工場（三重県四日市市）の第５製造棟、新・第２製造棟に加え、１８年夏に完成する第６製造棟で量産する予定だ。

メモリー生産で協業する米ウエスタンデジタル（ＷＤ）も同日、９６層３Ｄ構造ＮＡＮＤを開発したと発表した。

ただし東芝は同日、同社に対し訴訟を提起した。ＷＤも東芝に対し訴訟を起こしており、両社の関係悪化がメモリー生産に影響を与える可能性もありそうだ。