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記事検索結果
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独インフィニオン・テクノロジーズは、1200ボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「Cool...
住友商事は7日、三井住友銀行や日本政策投資銀行(DBJ)と共同出資する再生可能エネルギーファンド運営のスプリング・インフラストラクチャー・キャピタル(SIC、東京都千...
【いわき】福島SiC応用技研(福島県楢葉町、石本学社長)は、中性子を用いたがん治療法であるBNCT(ホウ素中性子捕捉療法)システムの2026年実用化...
またSiC(炭化ケイ素)製品を手がける岡山工場(岡山県玉野市)も需要増に対応する必要が出てきた。... これに対応できる製造装置の治具・消耗材であるシリコンパーツやSi...
京都大学の金子光顕助教らは、350度Cの高温下で炭化ケイ素(SiC)半導体による集積回路(IC)の基本動作実証に成功した。... SiC半導体は約800度Cま...
昭和電工は28日、パワー半導体向けに6インチの炭化ケイ素(SiC)単結晶基板の量産を開始したと発表した。同社は同基板上にエピタキシャル薄膜を成長させたSi...
SiC繊維は軽量、高強度、耐熱性に優れた繊維素材。... アート科学とIAは今回開発にめどをつけた生産技術でSiC繊維の紡糸工程に「乾式紡糸」を採用。... 両社は数年前から共同で、1本の紡糸ノズルで...
SiCの持つ高周波特性と高温度性能により、充電システムの小型化や低損失化を実現し、急速充電を可能にした。... ロームは10年にSiCパワーデバイスの量産化に成功するなど、技術開発で先行する。EVの車...
東芝はパワー半導体に使う炭化ケイ素(SiC)エピタキシャル(薄膜結晶)ウエハーの内製化に乗り出す。... スイスのSTマイクロエレクトロニクスも使用するSiC...
【引き合い想定以上】脱炭素・EV向けSiC製増産へ 従来のシリコンに加えて、次世代材料の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の引き合いも車載中心に想定以上に増加...
日本でパワー半導体用の炭化ケイ素(SiC)ウエハー技術を育成する取り組みが動き始めた。... 昇華法は固体のSiCを高温で昇華させ、低温下で再結晶化させる。... また、SiCはSiよ...
ロームは8インチ炭化ケイ素(SiC)ウエハーで金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発する。... ウエハー技術開発ではセントラル硝子や昭和電工が高品...
原理上はSiC基板の一面を超電導にできる。... SiC基板の表面に炭素原子が並んだ面にグラフェンを1層形成する。ここにカルシウムを蒸着し加熱するとSiCとグラフェンの間と、SiC基板の炭素原子の層と...
東洋炭素は2026年12月期に、SiC(炭化ケイ素)半導体や発光ダイオード(LED)などの製造工程で使用する半導体向け黒鉛製品の売上高比率を、21年12月期実績比10ポ...
次世代材料の炭化ケイ素(SiC)製品に対する顧客の自動車メーカーの態度が急変した。「SiCの本格的な普及はもう少し先と思っていたが、当初想定より1年以上早まっている」と驚く。 ...
ロームは同じく機器の小型化・省エネルギー化に寄与する炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスも10年に量産化に成功。26年3月期までの中期経営計画では、GaN、SiCを含むパワー半導体事業を...
