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記事検索結果
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「当社では技術の実用化にめどが立つと、担当者を事業部の開発部門に移籍させる。... こうした仕組みにより比較的短期間で製品化できた。レーダーの高機能化に欠かせない窒化ガリウム材料の値段がこなれてきたこ...
パウデック(栃木県小山市、河合弘治社長、0285・22・9986)は、低損失・高耐圧を実現する構造を採用した窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタの実用化にめどをつけ...
【名古屋】名古屋工業大学は、次世代パワーデバイスの実用化、事業化を目指す研究開発拠点「窒化物半導体マルチビジネス創生センター」を完成した。... 江川教授はサファイアの代わりに、シリコン基板上に窒化ガ...
経産省は14年度からSiCに加えて、シリコンと窒化ガリウム(GaN)製のパワー半導体開発プロジェクトを立ち上げる。... SiC製のパワー半導体が実用化されたばかりでGaN製はこれから...
材料の窒化ガリウムに40歳で出会い、p型半導体の実現は難しいと周囲にどれほどいわれても「好きなことをやればよい」「我ひとり荒れ野を行く」と初志を貫いた。
【共同研究枠】▽日本サーモスタット(塩谷町)=マンガンシリサイドを用いた熱電変換モジュールの開発 【フロンティア企業・経営革新計画承認企業枠】▽神和アルミ工業...
米トランスフォーム(カリフォルニア州ゴリータ)は、窒化ガリウム(GaN)製の次世代パワー半導体の評価キットを開発した。... サーバ用電源などに採用を提案し、電源回路の...
江川孝志名古屋工業大学大学院工学研究科教授と大塚晃DOWAエレクトロニクス社長による「電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発」と、石川成寿栃木県農業試験場研究開発部研究統括監と月岡隆出光興産社長の...
産業技術総合研究所の先進パワーエレクトロニクス研究センターの奥村元センター長を招き、炭化ケイ素や窒化ガリウムといった新しいパワーデバイスの原理、技術動向、応用展開などを紹介する。
酸化ガリウムはシリコンカーバイド(SiC)や窒化ガリウムなど既存のワイドギャップ半導体よりも大きなバンドギャップを持ち、高耐圧・低損失なパワーデバイス用途の新しい半導体材料として期待さ...
窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った送受信モジュールで、送受信機能を一つのパッケージに集約できるようにして小型化した。従来は、熱を逃がすため部品ごとにパッケージ...
SiCは通信関連の高周波デバイス用などに見込まれる窒化ガリウム(GaN)の製膜に適し、同社のSiC基板であれば良質なGaN基板も容易に製造できるとしている。
【名古屋】名古屋大学大学院工学研究科の堀勝教授の研究グループと同大学発ベンチャーのNUエコ・エンジニアリング(愛知県みよし市)などは共同で、分子線エピタキシー(MBE)...
日立電線はサファイア基板上に高品質な窒化ガリウム(GaN)単結晶薄膜を成長させたGaNテンプレート(写真)の新たな量産技術を開発した。
ブリッジラックスはシリコンウエハー基板上に窒化ガリウム結晶を成長させる技術を保有するベンチャー。... 両社はこれまでに窒化ガリウム結晶の技術を使った白色LEDを共同開発。... 東芝はディスクリート...
海外で販売するための製品改良や、国際標準化機構(ISO)などの国際規格・認証への適合にかかる経費を最高500万円助成する。... 多摩地域の企業は円安に振れて精神的に元気になった企業と...
