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記事検索結果
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次世代半導体で、GaN、SiCの二つの素材を事業化することになるが、高耐圧品をGaN、低中耐圧品をSiCと用途により使い分ける。
受圧部の素材をフッ素樹脂からチタンに変更し、耐圧力を従来の1メガパスカル(メガは100万)から3・5メガパスカルに高めた。... 圧力の幅が低域(0・6メガパスカル)、...
パウデック(栃木県小山市、河合弘治社長、0285・22・9986)は英シェフィールド大学と共同で低損失で1100ボルト以上の高耐圧性能を持つ窒化ガリウム(GaN)パワー...
延命に関する調査を通じて2011年度中に潜水深度や耐圧強度の制限の可否、部位、期間、費用、民間企業の修理体制の課題などを洗い出す。 ... 潜水艦は高精度、コンパクトな構造が特徴で、...
低容量・高耐圧(0・05ファラッド・100ボルト)のキャパシター20個で平準化した電気を大容量・低耐圧(10ファラッド・20ボルト)のキャパシター10個で蓄電し、スイッ...
高耐圧プロセスを適用したのが特徴。... 同LSIは190ボルト耐圧プロセスを採用。... また高耐圧プロセスを活用し、LED照明向けの駆動LSIの商品化も検討する。
三菱重工がボイラ耐圧部や蒸気タービンローター部分などを納入し、発電機の中核部品は三菱電機が担当する。
同社シリコン基板で、高耐圧化を妨げるメカニズムを解明。... ただ耐圧性能がGaNの膜厚で規定され、基板全体の厚みに電圧がかかるサファイアや炭化ケイ素(SiC)など絶縁性基板と比べて、...
