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素子は5ミリメートル角で、耐圧は900ボルト。シリコンダイオードと比べ高耐圧、大電流容量で、耐破壊性も高めた。

シリコン製パワー半導体に比べて耐圧が高く、大電流が扱える。

使用圧力の4倍もの耐圧性能を持つ、高圧流体用フレキシブルチューブを開発した大阪ラセン管工業(大阪市西淀川区)の岩谷勇治東京営業所次長は「耐圧性と柔軟性の両立に苦労した。

うち2シリーズ8機種は高耐圧貯湯タンクを搭載し、給湯圧力を従来品に比べ約1・6倍の280キロパスカルに高めた。

標準型で0・2メガパスカル(2気圧)、オプションで0・5メガパスカル(5気圧)の耐圧性を備えた。

また耐熱圧ペットボトルから耐圧ペットボトルに変更できるため、容器を軽量化でき、ペット樹脂使用量を年間318トン削減することが可能。

センサー部は直径54ミリ×長さ157ミリメートルで、水深7000メートルまでの耐圧性能を備える。

例えば、金属酸化膜半導体(MOS)は他社に委託し、得意な高耐圧のIC技術は自社生産した方が効率的だ。

最高使用電圧5・5ボルトの「RFシリーズ」のほかに、体積がRFシリーズの約半分の3・6ボルト耐圧品も同時に製品化した。

耐圧は600ボルト。IGBTとダイオードの素子は高耐圧になるほど損失電圧が発生するが、新製品は従来品と比べて20―25%損失を低減した。

現在主流の耐圧防爆式プリンターは完全密閉するため感熱式のプリントヘッドが採用しにくく、印刷範囲や速度などに限界があった。

自社内で改良を加え、耐圧強度を高めたまま表面積や板厚を減少し、タブへの指掛かりがよく開けやすい蓋を開発した。

劣化したボイラ耐圧部とバーナー回りの更新を行う。

ウエハー大口径化と回路微細化への投資を抑制する一方、高耐圧のシリコン・オン・サファイア(SOS)や再配線などを行うウエハーレベル・チップ・サイズ・パッケージ(WCSP)...

富士電機デバイステクノロジーは電力用半導体(パワーデバイス)、中でも高耐圧が特徴の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)に強みを持つ。

さらにシステム耐圧を従来機比2倍の66メガパスカルに高圧化。

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