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記事検索結果
91件中、3ページ目 41〜60件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.002秒)
半導体露光用エキシマレーザー大手のギガフォトン(栃木県小山市)は、同社のArF液浸レーザー「GTシリーズ」向けのガス消費量削減技術「eTGM」を期限付きで無償提供する。 ...
高電圧コンデンサー用の誘電材料として用いるもので、主に半導体の加工や視力矯正手術で利用するエキシマレーザー機器、医療用X線装置、工業用高電圧電源(HVPS)などでの使用を想定する。&#...
(6回連載) 【量産技術確立へ】 ArFエキシマレーザーと「液浸」と呼ぶ技術を組み合わせた半導体露光装置の新鋭機「NSR―S630D」の受注を始めた...
業界で最後発組ながら先端のフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー対応レジストでは、JSRや東京応化工業などと世界シェアのトップ争いを演じている。
化学増幅型レジストは現在のフッ化アルゴンエキシマレーザー露光などによる半導体製造技術で一般的に使われている。
既存のフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にする装置で回路線幅の微細化を進めながら、EUVの量産適用を模索する。
半導体製造で現在主流であるフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にした液浸リソグラフィー技術を適用するため、半導体メーカーは大規模な設備投資をせずに集積度を高めたLSIの生産が...
EUVは波長13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)で、フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にするのが現在主流の露光装置の10分の1以下。
これを実現する露光技術がEUVで、現在主流になっているフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源とする先端露光装置を置き換えていくと見られている。
ただ次世代光源である極端紫外線(EUV)の技術はいまだに確立されていないため、フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー光源を使った液浸露光技術を回路線幅32ナノメートル...
今後の増産の中心は、回路線幅(ハーフピッチ)45ナノメートル(ナノは10億分の1)世代の半導体製造向けを中心とした先端のフッ化アルゴン(ArF)エキシマ...
オランダのASMLとのシェアの差が開くなか、ニコンは「フッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸」と呼ばれる露光技術の新型機種「S620」の拡販で盛り返しを狙う。
ニコンは17日、都内で露光装置に関する説明会を開き、回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の最先端半導体製造ラインに採用されるフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF...
ニコンは回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の最先端半導体製造ラインに採用されるフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置の最新機種「NSR―S...
