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材料に適するとされるランタンホウ化物を約50ナノメートル(ナノは10億分の1)径のワイヤにし、電解蒸発という方法で表面の不純物を除去、併せてワイヤの結晶の方位も制御した。... また、...

粉中の微小結晶の界面組成を制御し実現した。... 今回、融点の低いネオジム銅合金を結晶粒界に沿って拡散させ、結晶粒界の磁気的な結合を切ることで、保磁力を高めることに成功した。... 今後は、原料の粉の...

結晶の成長方向を制御する技術を開発。... m面は窒素とガリウムの結晶方位がそろった結晶面。... 通常、窒素とガリウムの結晶は成長方向が異なるため、結晶構造に生じた歪みが電気分極を引き起こしている。...

同合金を加熱して圧延処理することで内部の結晶方位が均一になり、弾性が向上する。

秘密は鋼の結晶粒にある。... 「CGOは結晶方位のそろい方が良くない。... その分、結晶方向のズレも大幅に抑えられる。

その一つが「たたら製鉄におけるナノテクノロジーの結晶学的解明」プロジェクトだ。... これが集まって1マイクロ―10マイクロメートルオーダーの結晶組織になり、それがさらに集まり材料になる。 ....

現在のCMOSはすべてシリコン基板を使っているが、開発した基板は結晶方位の異なる二つのシリコン層を重ね合わせて構成する。... 開発した基板は、結晶面が(100)のシリコン層を45度回...

開発した技術では一つの種結晶から複数の薄板状の単結晶ダイヤモンドをつくり、これらの薄板状結晶同士をマイクロ波プラズマ化学気相成長(CVD)法で接合し、1枚の単結晶ウエハーを作製する。&...

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