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ニュース拡大鏡/ArF液浸露光装置、販売好調（2008/8/22）

【用語】ArF液浸露光装置=半導体の回路パターンをウエハー上にフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーで焼き付ける装置。

サイマー・ジャパン、広島にオフィス開設（2008/8/20）

広島地域での半導体用エキシマレーザーのメンテナンス業務などに対応する。

蘭ASML、回路線幅30ナノ台向けArF液浸露光装置を開発（2008/7/22）

オランダのASMLはフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にした半導体用の液浸露光装置「TWINSCAN XT1950i」を開発した。

これまで露光光源に用いていたArFエキシマレーザーの波長は193ナノメートルのため、液浸にして明るさを表す開口数(NA)を向上しそれにより解像度を上げたとしても、ウエハー上に回路を焼き...

半導体各社、20ナノ台の実用化に懸念−露光工程で課題（2008/6/17）

20ナノメートル世代では、フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源に用いた従来の露光装置では、微細な回路パターンを焼き付けられない。

商品化したのは、アルゴンフッ素(ArF)エキシマレーザーを光源とした45ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスに対応したもの。

装置が支える半導体・液晶(4)32ナノ、解像度向上が課題（2008/6/2）

露光光源の短波長化は、チップ上の回路線幅がマイクロメートルからナノメートル単位に微細化するに連れて、波長436ナノメートルのg線から同365ナノメートルのi線、同248ナノメートルのフッ化クリプトン&...

装置が支える半導体・液晶(3)先端向けArF液浸伸びる（2008/5/19）

露光光源は半導体回路の微細化が進むに連れて、波長436ナノメートルの可視光線「g線」から365ナノメートルの紫外線「i線」、さらに248ナノメートルの「フッ化クリプトン(KrF)エキシ...

販路開拓コーディネート事業(4)ウエハー周辺露光用光源（2008/4/23）

そこで、テストマーケティングの着地点としては、最新のエキシマレーザーであるKrF、ArFに使えないことも考慮し、(1)既存または中古の半導体製造設備のリニューアル用途で、営業力を補完す...

光源を、同社従来機で使っていた重水素ランプから高出力ArF(アルゴンフッ素)エキシマレーザーに変更。

西田研究室の酸化物強誘電体の薄膜化は、原料にエキシマレーザーを照射して、アブレーションさせ、積層させながら堆積して形成する。