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ローム、オン抵抗20%低減 スーパージャンクションMOSFET （2022/3/18 電機・電子部品・情報・通信）
600ボルト耐圧スーパージャンクション構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」に、業界最速の逆回復時間(trr)とオン抵抗の低減を両立...
東芝デバイス&ストレージ、耐圧650VのパワーMOSFET （2018/8/22 電機・電子部品・情報・通信１）
東芝デバイス&ストレージは650V耐圧スーパージャンクション構造のパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)として、「DTMOS VI(ディーテ...
東芝、汎用インバーター向けパワー半導体モジュール事業に再参入 （2014/7/22）
半導体素子の通電経路の設計を工夫して電力抵抗を低減する「スーパージャンクション構造」など得意とする技術を生かして製品開発を推進。
パウデック、GaNパワートランジスタの実用化にめど （2013/10/9）
パウデック(栃木県小山市、河合弘治社長、0285・22・9986)は、低損失・高耐圧を実現する構造を採用した窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタの実用化にめどをつけ...
