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記事検索結果
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欧州の強化や米国、インドなどで日本と同じように多様な挑戦をし、成長しようと考えている」 ―極端紫外線(EUV)露光に対応した2ナノメートル(ナノは10億分の1...
EUVより低コストで微細化 キヤノンの次世代半導体製造装置「ナノインプリントリソグラフィ(NIL)装置=用語参照」が動き出す。... 特に7ナノメートル...
富士フイルムも需要回復を見込み、5月下旬に先端半導体製造時のコスト減と省電力化に貢献する半導体材料「ナノインプリントレジスト」を発売する。同材料はウエハー上のレジストに回路パターンをハンコのように押し...
【キヤノン/NILによる超微細半導体の省エネルギー加工技術】 キヤノン、大日本印刷、キオクシアが開発に取り組む「ナノインプリントリソグラフィ(NIL...
大日本印刷は、キオクシアホールディングス(旧東芝メモリホールディングス)、キヤノンと共同で開発を進める「ナノインプリントリソグラフィ(NIL)」での半導体製造が極端紫外...
生産にあたっては、ショットの高屈折ガラスウエハー、インクロンの高屈折ナノインプリントコーティング材、EVGのナノインプリントリソグラフィ技術、ウェーブオプティクスの光導波路の設計ノウハウなどを組み合わ...
大日本印刷は12日、次世代半導体製造方法として期待されるナノインプリントリソグラフィの実現のために、回路パターンを転写するテンプレートの複製装置を導入したと発表した。
大日本印刷は1日、米モレキュラーインプリントと回路線幅22ナノメートル(ナノは10億分の1)以降の次世代半導体製造技術として有望なナノインプリントリソグラフィ技術の実用化に必要な、テン...