強磁性半導体を使ったスピントロニクスや量子デバイスの実現に道を開く。 研究グループは、非磁性半導体と強磁性半導体からなる2層のヘテロ接合(異なる物質を積層した構造)を...

強磁性半導体を使った次世代デバイス開発などにつながる。 ... 半導体と磁性体の両方の特性を同時に持つ強磁性半導体は、信号の制御だけでなく、情報も記憶できる高機能デバイスとして応用可...

東京大学のレ・デゥック・アイン准教授、小林正起准教授、田中雅明教授らは、分子科学研究所、理化学研究所などと共同で、強磁性半導体を含む半導体の量子井戸構造に短いパルスレーザー光を当て、600フェムト秒&...

日本原子力研究開発機構の竹田幸治研究主幹、東京大学大学院工学系研究科の大矢忍准教授、東大院理学系研究科の藤森淳教授らの研究チームは、エレクトロニクスとスピンを融合した「スピントロニクス技術」でカギを握...

強磁性半導体であるガリウムマンガンヒ素の単層薄膜を用い、電流を流すことによって生じる力「スピン軌道トルク」を利用した。低電力で磁化反転が可能な新しい強磁性材料の開拓や素子構造の探索が加速する。 ...

東京大学大学院工学系研究科のレ・デゥック・アイン助教、東京工業大学工学院のファム・ナムハイ准教授、東京大学大学院工学系研究科の田中雅明教授は、強磁性半導体において、大きな「スピン分裂」を持つ電子のエネ...

東北大学大学院工学研究科博士課程の塩貝純一院生、好田誠准教授、新田淳作教授の研究チームは、同大の野島勉准教授、ドイツ・レーゲンスブルグ大学と共同で、独自の半導体を作製し、半導体の中を流れる電子スピン&...

今回の新物質は強磁性金属ではなく、反強磁性半導体で、この半導体はこれまでCMR効果と無縁とされていた。新物質の発見によって反強磁性半導体でもCMR効果を生じることが分かった。

このスピントロニクス材料として盛んに研究されているものは、半導体に磁性体を少量添加した強磁性半導体と呼ばれる物質群である。しかし、多くの強磁性半導体は、室温よりも低い温度で磁石としての性質を失ってしま...

東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻の田中雅明教授、大矢忍准教授の研究グループは、強磁性半導体のガリウム・マンガン・ヒ素試料において、強磁性が現れる機構の理解につながる重要な構造を明らかにした。....

室温強磁性半導体の実現に向け、材料開発が加速する。 現在、強磁性半導体は低温で作製している。だが、この手法を使えば、高温でも強磁性を示す磁性半導体の設計が可能。

研究では磁石でもあり半導体でもある強磁性半導体「ヒ化ガリウムマンガン」の薄膜をガリウムヒ素基板上に作り、その上に高比誘電率を持つ絶縁膜金属膜ゲート電極を積層。