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半導体再興へ大学の最先端研究(3)省電力スピン半導体実証へ（2023/11/28 科学技術・大学）

同大の遠藤哲郎教授は東芝でNAND型フラッシュメモリーの開発と事業化に関わり、大学ではこれを3次元(3D)に積んで大容量化した。 ... 「演算性能と超低消費電力を両...

パワースピンが25億円調達磁気抵抗メモリー開発、25年めど米台進出（2023/11/10 総合４）

磁気抵抗メモリー(MRAM)開発のスタートアップ、パワースピン(仙台市青葉区、福田悦生・遠藤哲郎共同代表取締役)は2025年をめどに米国や台湾など海...

経営ひと言/東北大学・遠藤哲郎教授「小心者だから」（2023/5/23 科学技術・大学）

「僕は小心者だから、黒字の見込みがないと起業できなかった」と振り返るのは、東北大学教授の遠藤哲郎さん。

東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターの遠藤哲郎センター長と本庄弘明教授らは、ハンダ工程で高温耐性のある磁気トンネル接合素子(MTJ)を開発した。

経営ひと言/東北大学・遠藤哲郎教授「コア技術必要」（2021/6/22 科学技術・大学）

「コーポレートラボラトリーくらいの研究はできている」と胸を張るのは、東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターセンター長で同大教授の遠藤哲郎さん。

STT―MRAM向け記憶素子、書き換え耐性6000億回超東北大（2021/6/9 科学技術・大学）

東北大学の永沼博准教授と遠藤哲郎教授らの研究グループは、1ケタナノメートル(ナノは10億分の1)世代の集積回路に対応したスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)...

アドバンテスト、STT―MRAM向け検査装置 20年度めど投入（2018/6/8 電機・電子部品・情報・通信２）

同社は東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターの遠藤哲郎センター長らと共同で、半導体メモリー「STT―MRAM」の歩留まり率向上と高性能化の実証実験に初めて成功した。

指定国立大と産業連携−世界競争へ革新先導（2017/5/4 大学・産学連携）

同センターの遠藤哲郎センター長は自信をみせる。

東北経産局、産学連携モノづくり例紹介（2016/12/22 中小企業・地域経済）

東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターセンター長の遠藤哲郎教授がオープンイノベーション型産学地域連携などについて講演し、「新技術を社会に普及させるには一大学、一企業だけでは不可能」と産学連携...

産学共創のステージへ(1)幕上がる「OPERA」（2016/11/29 総合１）

遠藤哲郎CIESセンター長は「各社は自社の技術エリアを越えた産業展開に期待している」と大学が企業間をつなぐ“B(ビジネス)―U(ユニバーシティ)―B(ビジネス&...

東北大学の遠藤哲郎教授と大野英男教授のグループは、NECと共同で待機電力ゼロのロジック混載用の1メガビット不揮発性メモリーを開発した。... 例えば、スマートフォン(多機能携帯電話)に...

東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンターの遠藤哲郎教授、大野英男教授のグループが政府の「最先端研究開発支援プログラム」の一環でNECと共同開発した。