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記事検索結果
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ミネベアミツミは千歳事業所(北海道千歳市)のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の生産能力を口径150ミリメートル(6インチ)ウエハー換算で従来...
国内の半導体関連企業と構築した“仮想垂直統合”と呼ぶサプライチェーン(供給網)に生産委託し、8月からIHクッキングヒーター用IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)...
東芝が開発したのは、パワー半導体の一種である「IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)」。ゲート電極を三つ持つ新構造を採用したほか、スイッチのオン・オフを高精度に切り替える制御技術...
IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)デバイスに最適な専用の駆動回路を搭載し、自己保護機能などを1パッケージ化した。... 同社の最新IGBT素子を内蔵し、同社従来品比で電力損失...
ジャパンパワーデバイス(JPD、大阪市中央区、須山透社長、06・7777・4251)は、電磁誘導加熱(IH)製品など民生品向けに価格を抑えたIGBT(絶縁ゲート...
富士電機はインバーター動作時の電力損失を従来品比約10%低減した生産設備向けのパワー半導体「XシリーズIGBT―IPM=写真」を発売した。... 新製品は最新の第7世代IGBT(...
【横浜】イリソ電子工業は、車載インバーターに使われるIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の耐振動性を高めるボード・ツー・ボード(BツーB)フローティングタイプコ...
200キロ電子ボルトの高出力型を品ぞろえし、ハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)に使われるIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)向けを狙う。...
初めて車載用IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)に参入しようとしていて、生みの苦しみがある。
富士電機は大規模風力発電向けに、連続動作時の最高保証温度を従来比16・7%増の175度Cまで向上した1700ボルト耐圧のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュール&...
「17年からSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を始めた。IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)も拡充する。IPMやマイコンを組み込み...
富士電機は5日、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を採用したパワー半導体モジュールの新製品を開発し、サンプル出荷を順次始めたと発表した。... 今回、富士電機が開発したIGB...
高耐圧のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュールでは、独インフィニオン・テクノロジーズと世界シェア首位を争う。今後の成長に向けIGBTモジュールの一層の高機能化に取り組み...
また、ロームはSiC採用の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、素子の縦方向にゲートを構成する「トレンチ型」の製品の量産を15年前半に始める。... 例えば窒化ケイ素...
【京都】ロームは2015年前半に、スイッチング時の電流損失などをシリコン製と比べ数分の1に低減できる「トレンチ型」のパワー半導体、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジス...
現状、同ラインでは一部の白物家電向けと産業機器向けのパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を生産している。年内には高電圧・大電流を制御できるIGBT(絶縁ゲ...
だが、汎用インバーターなどで一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)などの高機能パワーデバイスは、電気自動車(EV)や風力発電、鉄道など各種産業分野に応用さ...
