米ＷＤ、１セル当たり４ビットのメモリー開発−来年内に量産

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米ウエスタンデジタル（ＷＤ）は、記憶容量が１セル当たり４ビットとなるＮＡＮＤ型フラッシュメモリー（写真）を開発した。６４層の３次元（３Ｄ）構造を採用。データセンターやパソコン向けのソリッド・ステート・ドライブ（ＳＳＤ）などに提案する。これまで１セル当たり３ビットが主流だった。２０１８年内に量産を行う。

子会社のサンディスク（ＳＤ）と東芝の共同開発。一つのセルに記憶できるビット数が１ビット増え、１セル当たり４ビットを実現した。チップとしては５１２ギガビット（ギガは１０億）の６４層チップから７６８ギガビットの６４層チップとなる。同チップを合わせることでＳＳＤなどのパッケージ製品を提供する。

すでに東芝は６月からＳＳＤメーカーやコントローラーメーカーにサンプルを提供している。８月から、業界最大容量となる１・５テラバイト（テラは１兆）のパッケージ製品をサンプル出荷する。