Nexperia社、業界トップの性能を持つ高効率のGaN FETをリリース

確かなプロセス、堅牢かつ拡張性があり、量産対応

2019年11月19日、ナイメーヘン：　ディスクリート、MOSFET部品、アナログ・ロジックICのエキスパートであるNexperia（ネクスペリア）社（https://www.nexperia.com）は、本日、GAN063-650WSAを発表し、窒化ガリウム（GaN）FET市場に参入しました。電圧650ボルトのGAN063-650WSAは、ゲート・ソース電圧（VGS）+/-20V、温度範囲-55°Cから+175°Cの非常に堅牢なデバイスで、60mΩという低いドレイン-ソース間オン抵抗（RDS(on)）と高速スイッチングを特長とし、非常に高効率です。



ネクスペリア社がターゲットとしているのは、xEV（電動車）、データセンター、情報通信インフラ、産業オートメーション、ハイエンド電源等、高性能のアプリケーション領域です。ネクスペリア社のGaN-on-Siプロセスは、非常に堅牢で、成熟しており、確固たる品質と信頼性を誇ります。また、既存のシリコン製造設備におけるウエハー加工が可能であるため、高い拡張性があります。また、本デバイスは、業界標準のTO-247パッケージで提供可能なため、お客様は、使い慣れたパッケージで優れたGaN性能のメリットを享受することができます。

ネクスペリア社のMOSビジネスグループの部門長であるトニ・ヴェルラス（Toni Versluijs）は次のように述べています。「高電圧領域への参入は、ネクスペリアにとって戦略的な動きであり、当社は、xEVのパワー半導体用途に適した技術をお届けできます。当社のGaNは、大量生産に対応した技術であり、量産に対応する拡張性があります。自動車分野はネクスペリアが主眼とする分野であり、電気自動車が、個人の移動手段また公共交通手段として、従来の内燃エンジンを動力とする自動車にとってかわることで、今後20年間大きな成長が見込まれています。」

GAN063-650WSA GaN FETは、ネクスペリア社が、自動車、通信インフラ、産業用市場向けに開発しているGaNデバイスのポートフォリオの最初の製品です。製品仕様およびデータシートを含めたGAN063-650WSA新商品のより詳しい情報は、当社ウェブサイトをご覧ください：https://efficiencywins.nexperia.com/innovation/gan-introduction.html

Nexperia（ネクスペリア）社について
ネクスペリア社は、自動車業界の設定した厳格な基準に適合するディスクリート、MOSFET部品およびロジックICの量産のエキスパートです。効率を最重要視し、ネクスペリア社は、世界の電子設計に必須の半導体を一貫して生産、年間生産高は900億個を超えています。価値あるエネルギーやスペースを節約する小型パッケージで業界をリード、ネクスペリア社の製品は、プロセス、サイズ、電力、性能において、効率性のベンチマークとなっています。

世界の大企業のサプライヤとして長年の経験を有し、ネクスペリア社は、アジア、欧州、米国で11,000名を超える従業員を雇用し、グローバルサポートを提供しています。広範なIPポートフォリオを有しており、IATF16949、ISO9001、ISO14001およびOHSAS18001認証を取得しています。

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情報提供元：PRTIMES
本リリースの掲載元：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000004.000046678.html