- トップ
- 検索結果
記事検索結果
52件中、2ページ目 21〜40件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.018秒)
独自の高アイソレーション設計技術を用いたミキサー回路をインジウムリン高電子移動度トランジスタ(InP―HEMT)で実現。
高電子移動度トランジスタ(HEMT)の発明で情報通信技術の発展に貢献した三村氏は「失敗があったからこそ有用な情報に気が付けた」とこれまでの研究について語った。
◇先端技術部門(対象分野はエレクトロニクス)=富士通研究所名誉フェローの三村髙志博士(72歳、日本)「高電子移動度トランジスタの発明とその開発による情報通信技術...
三菱電機は12日、次世代移動通信システムに適用する、超広帯域の窒化ガリウム(GaN)製の増幅器を開発したと発表した。... 2017年度以降、出力電力や周波数が異なる、次世代移動通信シ...
GaNパワー半導体では、シリコン基板上に横型のGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)などを形成するデバイスは量産されている。 ただGaN基板上にGaNの金属酸化...
トランジスタの電子供給層にインジウムを加え、回路設計を工夫するなどして従来比1・8倍に性能を高め、通信可能な距離を同約30%延ばした。... 今回、窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(...
三菱電機は衛星通信地上局用の電力増幅器向けでは業界最高クラスとなる出力電力80ワットの窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(GaN―HEMT)を完成した。
力率を改善するPFC(力率改善回路)用とDC/DC(直流/直流)コンバーター用の2種で、電力損失が少ないGaNの高電子移動度トランジスタ(H...
窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った送受信モジュールで、送受信機能を一つのパッケージに集約できるようにして小型化した。
窒化ガリの高電子移動度トランジスタ(HEMT)を用いて、10ギガヘルツ(ギガは10億)帯で出力6・3ワットを実現。... 従来のシリコンやガリウムヒ素という半導体材料に...
三菱電機は25日、14ギガヘルツ帯で100ワットの出力が得られる窒化ガリウム系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)増幅器を開発したと発表した。
省電力化や高機能化が求められる半導体・電子機器などの開発で、素材が重要な鍵を握っている。... SiCウエハーは、粉末状のSiC原料を2500度Cという環境で種結晶上に再結晶化させる昇華再結晶法が現在...
三菱電機は衛星搭載用の窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った増幅器を開発した。... 移動体通信の基地局用増幅器にも応用を狙う。
化合物半導体である窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、6ギガ―18ギガヘルツの全帯域で動作できる増幅器の送受信モジュールを開発した。
窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った世界最高出力の送信用増幅器で、既存のガリウムヒ素製のHEMTを使った増幅器に比べて、出力を16倍に高めた。
回路に組み込むトランジスタの構造を改良し、従来比3・5倍の140ミリワットの高出力を実現した。... 新構造のインジウム・リン製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を開発。... 5...
窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、C帯―Ku帯(6ギガ―18ギガヘルツ)で動作する高出力増幅器を開発した。... さらに、搭載するトランジスタ...
三菱電機は衛星搭載用のC帯窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)高出力増幅器(写真)を開発し、世界で初めてサンプル出荷した。... ...
80年に富士通はこの原理を素子に応用、高電子移動度トランジスタ(HEMT)を発表した。 ... 量子ドットを半導体レーザーの活性層に挟むとドットに閉じ込めた多数の電子が一度に発...
